Chapitre I : Etat des connaissances
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í µí°= í µí°í µí°§í µí° í µí°±í µí°í µí¿
−
í µí»
í µí°í µí°± (í µí° − í µí¿í µí¿)
Quand la relation de l’activité du
210
Pb en excès est représentée sur une échelle logarithmique
en fonction de la profondeur x, le profil en
210
Pb en excès devient une droite dont la pente est λ
/ s. La vitesse de la sédimentation moyenne peut donc être déterminée à partir de la constante
de désintégration du
210
Pb (λ = 0,03114 a
-1
) et de la pente. On déduit ainsi l’âge des sédiments
en fonction de la profondeur et de la vitesse de la sédimentation.
Pour s’affranchir des variations de la porosité dans la colonne sédimentaire, liées au tassement,
on exprime la profondeur (x) comme m, la masse sèche cumulée par unité d’aire en g.cm
-2 , et
la sédimentation comme le taux de sédimentation (w) en g.cm
-2 .an
-1 (Leaute, 2008). Le taux de
sédimentation est donc exprimé comme w = m / t. En poursuivant le même raisonnement que
plus haut, la relation de l’activité en
210 Pb en excès représentée en fonction de la masse sèche
de sédiments dans une carotte sédimentaire nous permet d’estimer le taux de la sédimentation
moyenne en g.cm
-2 .a
-1 .
7.2.2.2.
Modèle CIC (Constant Initial Concentration)
Dans beaucoup de milieux, le rythme d’accumulation de sédiments varie dans le temps,
naturellement ou par cause d’activités anthropiques qui favorisent ou diminuent l’apport de
matière. Cela se traduit par des profils de
210 Pb non exponentiels en profondeur (Miralles,
2004).
Le modèle CIC se base sur une activité du
210 Pb en excès constante lors du dépôt (Laissaoui et
al.,2008) et est totalement indépendant du taux de sédimentation. Ce modèle implique donc que
le plomb soit exclusivement fourni par les apports du bassin versant et non par le flux
atmosphérique.
Pour chaque couche de sédiment, la date de dépôt peut être estimée en suivant l’expression :
í µí° =
í µí¿
í µí»
í µí°í µí°§
í µí° í µí¿
í µí° í µí°±
(í µí° − í µí¿í µí¿)
où A0 (Bq.Kg
-1
) est l’activité du
210 Pbxs en surface et AX l’activité du
210 Pbxs dans l’horizon x.
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í µí°= í µí°í µí°§í µí° í µí°±í µí°í µí¿
−
í µí»
í µí°í µí°± (í µí° − í µí¿í µí¿)
Quand la relation de l’activité du
210
Pb en excès est représentée sur une échelle logarithmique
en fonction de la profondeur x, le profil en
210
Pb en excès devient une droite dont la pente est λ
/ s. La vitesse de la sédimentation moyenne peut donc être déterminée à partir de la constante
de désintégration du
210
Pb (λ = 0,03114 a
-1
) et de la pente. On déduit ainsi l’âge des sédiments
en fonction de la profondeur et de la vitesse de la sédimentation.
Pour s’affranchir des variations de la porosité dans la colonne sédimentaire, liées au tassement,
on exprime la profondeur (x) comme m, la masse sèche cumulée par unité d’aire en g.cm
-2 , et
la sédimentation comme le taux de sédimentation (w) en g.cm
-2 .an
-1 (Leaute, 2008). Le taux de
sédimentation est donc exprimé comme w = m / t. En poursuivant le même raisonnement que
plus haut, la relation de l’activité en
210 Pb en excès représentée en fonction de la masse sèche
de sédiments dans une carotte sédimentaire nous permet d’estimer le taux de la sédimentation
moyenne en g.cm
-2 .a
-1 .
7.2.2.2.
Modèle CIC (Constant Initial Concentration)
Dans beaucoup de milieux, le rythme d’accumulation de sédiments varie dans le temps,
naturellement ou par cause d’activités anthropiques qui favorisent ou diminuent l’apport de
matière. Cela se traduit par des profils de
210 Pb non exponentiels en profondeur (Miralles,
2004).
Le modèle CIC se base sur une activité du
210 Pb en excès constante lors du dépôt (Laissaoui et
al.,2008) et est totalement indépendant du taux de sédimentation. Ce modèle implique donc que
le plomb soit exclusivement fourni par les apports du bassin versant et non par le flux
atmosphérique.
Pour chaque couche de sédiment, la date de dépôt peut être estimée en suivant l’expression :
í µí° =
í µí¿
í µí»
í µí°í µí°§
í µí° í µí¿
í µí° í µí°±
(í µí° − í µí¿í µí¿)
où A0 (Bq.Kg
-1
) est l’activité du
210 Pbxs en surface et AX l’activité du
210 Pbxs dans l’horizon x.
