19.1 Introduction
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Figure 19.3 Représentation de la maille élémentaire du silicium
19.1.3 Angle critique de réflexion totale
Nous avons vu que l’indice de réfraction d’un matériau dans le domaine des rayons X
est très proche de 1 tout en étant légèrement inférieur à 1. Cela montre que contrairement à ce qui se passe dans le visible, le faisceau incident va s’éloigner légèrement
de la normale en pénétrant dans le matériau. Il est alors possible en arrivant sous
une incidence i proche de 90 ◦ (u proche de 0) de réfléchir totalement le faisceau sur
le matériau : on observe alors le phénomène de réflexion totale externe. Le faisceau
incident peut être totalement réfléchi si l’angle d’incidence u (défini comme l’angle
entre la surface et le rayon incident) est inférieur à l’angle critique u c de réflexion
totale externe.
q
Réfraction
Réfraction
limite
c
n = 1
n = 1
i
d b
- -
n = 1
n = 1
i
- d - b
Figure 19.4 Illustration de la réfraction d’une onde électromagnétique X au passage par une
interface. L’onde réfractée s’écarte de la normale. Pour un angle critique appelé angle critique de
réflexion externe l’onde transmise ressort parallèlement à la surface.
Cet angle s’obtient aisément en appliquant la loi de Snell-Descartes aux rayons
incident et réfracté. À l’angle critique d’incidence le rayon réfracté ressort parallèlement à la surface si bien que si l’on néglige l’absorption on peut écrire que :
cos u c = n = 1 − d
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Figure 19.3 Représentation de la maille élémentaire du silicium
19.1.3 Angle critique de réflexion totale
Nous avons vu que l’indice de réfraction d’un matériau dans le domaine des rayons X
est très proche de 1 tout en étant légèrement inférieur à 1. Cela montre que contrairement à ce qui se passe dans le visible, le faisceau incident va s’éloigner légèrement
de la normale en pénétrant dans le matériau. Il est alors possible en arrivant sous
une incidence i proche de 90 ◦ (u proche de 0) de réfléchir totalement le faisceau sur
le matériau : on observe alors le phénomène de réflexion totale externe. Le faisceau
incident peut être totalement réfléchi si l’angle d’incidence u (défini comme l’angle
entre la surface et le rayon incident) est inférieur à l’angle critique u c de réflexion
totale externe.
q
Réfraction
Réfraction
limite
c
n = 1
n = 1
i
d b
- -
n = 1
n = 1
i
- d - b
Figure 19.4 Illustration de la réfraction d’une onde électromagnétique X au passage par une
interface. L’onde réfractée s’écarte de la normale. Pour un angle critique appelé angle critique de
réflexion externe l’onde transmise ressort parallèlement à la surface.
Cet angle s’obtient aisément en appliquant la loi de Snell-Descartes aux rayons
incident et réfracté. À l’angle critique d’incidence le rayon réfracté ressort parallèlement à la surface si bien que si l’on néglige l’absorption on peut écrire que :
cos u c = n = 1 − d