Chapitre 23 • Le transistor bipolaire
composants qui le constituent. Le calcul des caractéristiques de l’amplificateur (gain,
impédance d’entrée et de sortie) se fera à partir des paramètres h du transistor et des
composants qui l’entourent (résistances de polarisation par exemple).
La matrice H qui définie cette boîte noire est déterminée avec les conventions de la
figure 23.6.
[H]
v e
v s
i e
i s
Figure 23.6 Conventions utilisées pour la détermination des paramètres h
v 1
i 2
= H
i 1
v 2
avec [H ] =
h 11 h 12
h 21 h 22
Appliquée au transistor NPN monté en émetteur commun de la figure 23.7, la
matrice H s’écrit de la façon suivante :
v BE
i C
= H
i B
v CE
soit en développant :
v BE = h 11 i B + h 12 v CE
i C = h 21 i B + h 22 v CE
avec :
• h 11 , l’impédance d’entrée (en V) du transistor déterminée lorsque v CE = 0,
• h 12 , le rapport de transfert inverse en tension entre l’entrée et la sortie (grandeur sans
dimension), lorsque i B = 0,
• h 21 , le rapport de transfert direct en courant entre la sortie et l’entrée (grandeur sans
dimension), lorsque v CE = 0,
• h 22 , la conductance de sortie (exprimée en siemens) qui est l’inverse de la résistance,
lorsque i B = 0.
La détermination des paramètres h ij de la matrice nous permet de représenter le
transistor à l’aide de son schéma électrique associé équivalent (Fig. 23.7).
B
E
C
i
v
v
I
i
C
CE
BE
E
B
B
E
C
i
v
v
i
h
h
h
1
h
v
i
C
CE
CE
B
12
11
22
21
BE
B
Figure 23.7 Schéma équivalent d’un transistor NPN déterminé à partir des paramètres h
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“Gautron_9782100543007” (Col. : ScienceSup3-193x250) — 2010/6/15 — 17:13 — page 452 — #462
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