23.5. Transistor en régime dynamique
v
v
v
v
v
v
V
V
I
i
I
i
= β I
CE
BE
BE
CE
CE
BE
BE 0
CE 0
C 0
C
C
C
B
B
zone linéaire
croissante
la tension
n'évolue pas
sur une seule
caractéristique
chaque courbe
correspond
à différentes valeurs de
point de
polarisation
= ( )
f i
mais sur une droite
dite de charge
Figure 23.5 Superposition d’une composante sinusoïdale autour du point de
fonctionnement. Principe de l’amplification d’un signal
Remarques
• L’étude des régimes statique et dynamique se fait de façon indépendante en appliquant le théorème de superposition. À la fin du calcul, il suffit donc de juxtaposer
les deux résultats. Cette approche, et il s’agit d’une notion importante, implique
que le fonctionnement du transistor soit linéaire. Autrement dit, on peut également
dire qu’un comportement linéaire du transistor se traduit par la linéarité des caractéristiques dans le réseau quatre quadrants. Dans le cas de la diode à jonction, ceci
impliquait que l’amplitude de la composante sinusoïdale soit faible
Voir
chapitre 22,
§ 22.5
pour pouvoir
approcher sa caractéristique par une droite de pente égale à la tangente au point de
fonctionnement. Nous retrouvons les mêmes conditions pour le transistor et c’est la
raison pour laquelle on parlera souvent de régime dynamique petit signal.
• Enfin, comme pour la diode, les paramètres qui caractérisent le fonctionnement en
régime dynamique dépendent du point de fonctionnement.
23.5.1 Droite de charge dynamique
Il s’agit là d’une notion nouvelle, mais la droite de charge dynamique représente d’une
certaine façon, le lieu de tous les points de fonctionnement « dynamiques » qui sont dus
à la variation temporelle du signal autour du point de fonctionnement statique.
On introduit alors le schéma équivalent dynamique (petit signal) pour déterminer
l’expression de la droite de charge dynamique.
23.5.2 Schéma équivalent petit signal — Paramètres hybrides
En régime dynamique et avec des signaux de faibles amplitudes autour du point de
fonctionnement, on peut décrire le comportement linéaire du transistor à partir des
paramètres communément appelés paramètres h ou paramètres hybrides.
Ceci conduit à une résolution analytique plus aisée et permet au bout du compte
de considérer le montage amplificateur telle une boîte noire, indépendamment des
©
Dunod – La photocopie non autorisée est un délit
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“Gautron_9782100543007” (Col. : ScienceSup3-193x250) — 2010/6/15 — 17:13 — page 451 — #461
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