Chapitre 23 • Le transistor bipolaire
Pour R B = 300 kV, nous pouvons écrire :
V CC = R B · I B + V BE
I B =
V CC − V BE
R B
=
10 − 0,7
300 · 10 3 = 31 mA avec I C = I C 0 = 3,10 mA
de plus, la droite de charge statique s’écrit:
V CE = V CE 0 = V CC − R C · I C = V CC − R C · b · I B = 3,8 V > 0
on en déduit : V BC = V BE − V CE = −3,1 V < 0
L’hypothèse de départ, lorsque R B = 300 kV, est donc correcte compte tenu des
valeurs de V CE et de V BC .
Lorsque R B = 150 kV, le courant I B devient égal a :
I B =
V CC − V BE
R B
=
10 − 0,7
150 · 10 3 = 62 mA
soit : V CE = V CC − R C · b · I B = −2,4 V < 0
V CE < 0, le transistor fonctionne en saturation, la relation I C = bI B n’est plus
valide. Le courant I C0 se calcule en considérant V CE(sat) = 0,3 volt qui est la tension
de saturation du transistor soit :
I C = I C 0 =
V CC − V CE(sat)
R C
=
10 − 0,3
2 · 10 3 = 4,85 mA
Le transistor peut être assimilé ici à un interrupteur fermé, la tension à ses bornes
étant proche de 0.
Le point de polarisation, on pouvait s’en douter, dépend très fortement du choix des
composants qui polarisent le transistor. Modifier R B revient à modifier le courant
base et par conséquent la position du point de fonctionnement sur la droite de
charge.
On notera qu’il s’agit là d’un exemple de circuit de polarisation. Il en existe
cependant bien d’autres.
23.5 TRANSISTOR EN RÉGIME DYNAMIQUE
La superposition d’une composante alternative autour du point de fonctionnement (ou
point de polarisation) constitue la base même de l’amplification dans un transistor. D’un
point de vue pratique, on injecte un signal sinusoïdal sur la base du transistor. Dans
l’hypothèse d’un comportement linéaire du transistor, ce signal engendre une tension
sinusoïdale sur le collecteur du transistor. Celle-ci étant plus élevée que le signal injecté
sur la base comme le montre la figure 23.5.
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“Gautron_9782100543007” (Col. : ScienceSup3-193x250) — 2010/6/15 — 17:13 — page 450 — #460
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Pour R B = 300 kV, nous pouvons écrire :
V CC = R B · I B + V BE
I B =
V CC − V BE
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300 · 10 3 = 31 mA avec I C = I C 0 = 3,10 mA
de plus, la droite de charge statique s’écrit:
V CE = V CE 0 = V CC − R C · I C = V CC − R C · b · I B = 3,8 V > 0
on en déduit : V BC = V BE − V CE = −3,1 V < 0
L’hypothèse de départ, lorsque R B = 300 kV, est donc correcte compte tenu des
valeurs de V CE et de V BC .
Lorsque R B = 150 kV, le courant I B devient égal a :
I B =
V CC − V BE
R B
=
10 − 0,7
150 · 10 3 = 62 mA
soit : V CE = V CC − R C · b · I B = −2,4 V < 0
V CE < 0, le transistor fonctionne en saturation, la relation I C = bI B n’est plus
valide. Le courant I C0 se calcule en considérant V CE(sat) = 0,3 volt qui est la tension
de saturation du transistor soit :
I C = I C 0 =
V CC − V CE(sat)
R C
=
10 − 0,3
2 · 10 3 = 4,85 mA
Le transistor peut être assimilé ici à un interrupteur fermé, la tension à ses bornes
étant proche de 0.
Le point de polarisation, on pouvait s’en douter, dépend très fortement du choix des
composants qui polarisent le transistor. Modifier R B revient à modifier le courant
base et par conséquent la position du point de fonctionnement sur la droite de
charge.
On notera qu’il s’agit là d’un exemple de circuit de polarisation. Il en existe
cependant bien d’autres.
23.5 TRANSISTOR EN RÉGIME DYNAMIQUE
La superposition d’une composante alternative autour du point de fonctionnement (ou
point de polarisation) constitue la base même de l’amplification dans un transistor. D’un
point de vue pratique, on injecte un signal sinusoïdal sur la base du transistor. Dans
l’hypothèse d’un comportement linéaire du transistor, ce signal engendre une tension
sinusoïdale sur le collecteur du transistor. Celle-ci étant plus élevée que le signal injecté
sur la base comme le montre la figure 23.5.
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