23.4. Polarisation du transistor, Point de fonctionnement statique, Droite de charge statique
23.4 POLARISATION DU TRANSISTOR,
POINT DE FONCTIONNEMENT STATIQUE,
DROITE DE CHARGE STATIQUE
Nous avons déjà présenté la notion de point de fonctionnement statique dans le cas de
la diode à jonction PN
Voir
chapitre 22,
§ 22.4
.
Cette notion prend toute son importance dans le cas du transistor dans la mesure où
ce point conditionne le fonctionnement du montage en régime dynamique.
Rappelons que cette opération consiste à placer le composant actif dans un état de
repos (ou de conduction) bien défini. Cet état est caractérisé par un point (V CE0 , I C0 )
sur le réseau de caractéristiques (Fig. 23.3). Il correspondait également à l’intersection
entre la droite de charge du circuit et le réseau de caractéristiques du transistor.
Il faut à ce niveau là déjà avoir à l’esprit qu’en régime dynamique, on superposera
autour de ce point une composante alternative sinusoïdale.
Si l’on souhaite amplifier cette composante sinusoïdale en sortie, on comprend qu’il
faille dans ce cas placer judicieusement le point de fonctionnement dans la zone linéaire
du réseau de caractéristiques. Pour illustrer cette notion fondamentale, traitons un
exemple sur un cas simple.
Exercice d’application 23.1
Déterminer le point de fonctionnement du montage de la figure 23.4. On donne
V CC = 10 volts, b = 100, R C = 2 kV et pour R B , deux valeurs : 300 kV et 150 kV.
Conclure sur l’influence de la valeur de R B sur le point de polarisation.
RC
RB
VCC
IC
VCE
Figure 23.4
SOLUTION. La base est ramenée au potentiel V CC par la résistance R B , L’émetteur
est connecté à la masse ce qui permet d’écrire :
V BE > 0
Pour la suite nous allons faire l’hypothèse que le transistor fonctionne dans la zone
linéaire (mode actif direct) soit donc V BE = 0,7 V et I C = bI B . Il restera à montrer
que cette hypothèse est valide.
©
Dunod – La photocopie non autorisée est un délit
449
“Gautron_9782100543007” (Col. : ScienceSup3-193x250) — 2010/6/15 — 17:13 — page 449 — #459
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POINT DE FONCTIONNEMENT STATIQUE,
DROITE DE CHARGE STATIQUE
Nous avons déjà présenté la notion de point de fonctionnement statique dans le cas de
la diode à jonction PN
Voir
chapitre 22,
§ 22.4
.
Cette notion prend toute son importance dans le cas du transistor dans la mesure où
ce point conditionne le fonctionnement du montage en régime dynamique.
Rappelons que cette opération consiste à placer le composant actif dans un état de
repos (ou de conduction) bien défini. Cet état est caractérisé par un point (V CE0 , I C0 )
sur le réseau de caractéristiques (Fig. 23.3). Il correspondait également à l’intersection
entre la droite de charge du circuit et le réseau de caractéristiques du transistor.
Il faut à ce niveau là déjà avoir à l’esprit qu’en régime dynamique, on superposera
autour de ce point une composante alternative sinusoïdale.
Si l’on souhaite amplifier cette composante sinusoïdale en sortie, on comprend qu’il
faille dans ce cas placer judicieusement le point de fonctionnement dans la zone linéaire
du réseau de caractéristiques. Pour illustrer cette notion fondamentale, traitons un
exemple sur un cas simple.
Exercice d’application 23.1
Déterminer le point de fonctionnement du montage de la figure 23.4. On donne
V CC = 10 volts, b = 100, R C = 2 kV et pour R B , deux valeurs : 300 kV et 150 kV.
Conclure sur l’influence de la valeur de R B sur le point de polarisation.
RC
RB
VCC
IC
VCE
Figure 23.4
SOLUTION. La base est ramenée au potentiel V CC par la résistance R B , L’émetteur
est connecté à la masse ce qui permet d’écrire :
V BE > 0
Pour la suite nous allons faire l’hypothèse que le transistor fonctionne dans la zone
linéaire (mode actif direct) soit donc V BE = 0,7 V et I C = bI B . Il restera à montrer
que cette hypothèse est valide.
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