23.3. Réseau de caractéristiques du transistor NPN — Régime statique
Remarques
On notera que dans bien des cas, les valeurs de b oscillent entre 100 et 300. En effet,
pour un même composant, il existe une forte dispersion du gain en courant b. De
plus, celui-ci dépend du courant collecteur I C .
La relation I C = b I B n’est cependant valable que lorsque le transistor fonctionne en
mode actif direct ou dans la zone active. Nous reparlerons un peu plus loin des
différents modes de fonctionnement du transistor bipolaire.
B
E
C
I
V
V
V
I
I
C
CE
CB
BE
E
B
Figure 23.2 Grandeurs électriques associées au transistor bipolaire NPN.
23.3 RÉSEAU DE CARACTÉRISTIQUES DU TRANSISTOR
NPN — RÉGIME STATIQUE
Le fonctionnement intrinsèque du transistor est obtenu à partir des six grandeurs précédemment citées (I B , I C , I E , V CE , V BE et V CB ). Seules quatre de ces grandeurs sont
indépendantes (I B , I C , V CE et V BE ). On représente alors l’évolution de ces quatre grandeurs dans un graphe communément appelé réseau quatre quadrants (Fig. 23.3). On
parlera ici de régime statique dans la mesure où l’évolution de ces grandeurs est obtenue
à partir de sources continues.
Ce graphe nous conduit à faire les remarques suivantes:
• la caractéristique I B = f (V BE ) est en tout point semblable à la caractéristique d’une
diode à jonction. On retrouve ainsi la tension de seuil qui représentait la tension de
déblocage de la jonction PN (approximativement 0,7 V pour le silicium et 0,3 V pour
le germanium).
• la pente de la caractéristique I C = f (I B ) indique le gain en courant statique b du transistor. Notons que cette caractéristique est obtenue pour une valeur de V CE constante.
• le réseau de caractéristiques I C = f (V CE ) est obtenu pour des valeurs constantes du
courant base I B . Ce quadrant nous inspire plusieurs réflexions car on distingue quatre
zones bien particulières :
• la zone de saturation du transistor apparaît pour les faibles valeurs de V CE (autour
de 0,3 volt) que l’on notera V CE(sat) . Dans cette zone, il n’existe pas de lien de
proportionnalité direct entre le courant I C et I B ce qui interdit l’écriture I C = b I B .
©
Dunod – La photocopie non autorisée est un délit
447
“Gautron_9782100543007” (Col. : ScienceSup3-193x250) — 2010/6/15 — 17:13 — page 447 — #457
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On notera que dans bien des cas, les valeurs de b oscillent entre 100 et 300. En effet,
pour un même composant, il existe une forte dispersion du gain en courant b. De
plus, celui-ci dépend du courant collecteur I C .
La relation I C = b I B n’est cependant valable que lorsque le transistor fonctionne en
mode actif direct ou dans la zone active. Nous reparlerons un peu plus loin des
différents modes de fonctionnement du transistor bipolaire.
B
E
C
I
V
V
V
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I
C
CE
CB
BE
E
B
Figure 23.2 Grandeurs électriques associées au transistor bipolaire NPN.
23.3 RÉSEAU DE CARACTÉRISTIQUES DU TRANSISTOR
NPN — RÉGIME STATIQUE
Le fonctionnement intrinsèque du transistor est obtenu à partir des six grandeurs précédemment citées (I B , I C , I E , V CE , V BE et V CB ). Seules quatre de ces grandeurs sont
indépendantes (I B , I C , V CE et V BE ). On représente alors l’évolution de ces quatre grandeurs dans un graphe communément appelé réseau quatre quadrants (Fig. 23.3). On
parlera ici de régime statique dans la mesure où l’évolution de ces grandeurs est obtenue
à partir de sources continues.
Ce graphe nous conduit à faire les remarques suivantes:
• la caractéristique I B = f (V BE ) est en tout point semblable à la caractéristique d’une
diode à jonction. On retrouve ainsi la tension de seuil qui représentait la tension de
déblocage de la jonction PN (approximativement 0,7 V pour le silicium et 0,3 V pour
le germanium).
• la pente de la caractéristique I C = f (I B ) indique le gain en courant statique b du transistor. Notons que cette caractéristique est obtenue pour une valeur de V CE constante.
• le réseau de caractéristiques I C = f (V CE ) est obtenu pour des valeurs constantes du
courant base I B . Ce quadrant nous inspire plusieurs réflexions car on distingue quatre
zones bien particulières :
• la zone de saturation du transistor apparaît pour les faibles valeurs de V CE (autour
de 0,3 volt) que l’on notera V CE(sat) . Dans cette zone, il n’existe pas de lien de
proportionnalité direct entre le courant I C et I B ce qui interdit l’écriture I C = b I B .
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