Chapitre 22 • Diode à jonction
Cette variation de tension est déterminée en remplaçant la diode par sa résistance
dynamique (ou résistance différentielle) r d calculée à partir de la conductance g d de la
façon suivante :
g d =
1
r d
=
dI
dV
Q
r d représente en fait l’inverse de la pente de la tangente calculée au point de fonctionnement Q (Fig. 22.7).
D’où, après quelques lignes de calculs, l’expression de la résistance r d :
r d =
hkT
q I
avec
kT
q
= 26 mV à la température ambiante (300 K).
La résistance dynamique est donc inversement proportionnelle au courant statique I
qui traverse la diode. Plus I augmente, plus la résistance r d diminue et inversement. La
diode peut être considérée comme une résistance variable r d dont la valeur est contrôlée
par le courant statique qui la traverse.
L’application d’une tension alternative au circuit revient par conséquent à superposer
une tension sinusoïdale autour du point de fonctionnement Q. Il s’agit là du principe
même utilisé pour l’amplification que nous reverrons avec le transistor.
I
V
Q
Tangente au point de
foncƟonnement
Figure 22.7 Détermination de la résistance dynamique autour du point de fonctionnement
statique Q
Remarques
• En régime dynamique (ou sinusoïdal), nous avons là encore linéarisé la caractéristique
de la diode en la remplaçant par une résistance dynamique r d dont la valeur dépend
du courant statique I. Remarquons cependant que cette approximation restera valable
si et seulement si l’amplitude de la composante sinusoïdale reste de faible niveau.
En effet, dans le cas contraire, et on le constate sur la figure 22.7, l’approximation
par la tangente au point de fonctionnement n’est plus valide et la non-linéarité
de la caractéristique I(V ) provoquera l’apparition de composantes sinusoïdales de
fréquences multiples entières de la fréquence du signal sinusoïdal original.
• On parle souvent d’électronique linéaire mais cet état résulte seulement d’une
approximation valable uniquement dans le cas de signaux sinusoïdaux de faibles
amplitudes, d’où l’expression souvent utilisée d’électronique petit signal.
438
“Gautron_9782100543007” (Col. : ScienceSup3-193x250) — 2010/6/15 — 17:13 — page 438 — #448
i
i
i
i
Cette variation de tension est déterminée en remplaçant la diode par sa résistance
dynamique (ou résistance différentielle) r d calculée à partir de la conductance g d de la
façon suivante :
g d =
1
r d
=
dI
dV
Q
r d représente en fait l’inverse de la pente de la tangente calculée au point de fonctionnement Q (Fig. 22.7).
D’où, après quelques lignes de calculs, l’expression de la résistance r d :
r d =
hkT
q I
avec
kT
q
= 26 mV à la température ambiante (300 K).
La résistance dynamique est donc inversement proportionnelle au courant statique I
qui traverse la diode. Plus I augmente, plus la résistance r d diminue et inversement. La
diode peut être considérée comme une résistance variable r d dont la valeur est contrôlée
par le courant statique qui la traverse.
L’application d’une tension alternative au circuit revient par conséquent à superposer
une tension sinusoïdale autour du point de fonctionnement Q. Il s’agit là du principe
même utilisé pour l’amplification que nous reverrons avec le transistor.
I
V
Q
Tangente au point de
foncƟonnement
Figure 22.7 Détermination de la résistance dynamique autour du point de fonctionnement
statique Q
Remarques
• En régime dynamique (ou sinusoïdal), nous avons là encore linéarisé la caractéristique
de la diode en la remplaçant par une résistance dynamique r d dont la valeur dépend
du courant statique I. Remarquons cependant que cette approximation restera valable
si et seulement si l’amplitude de la composante sinusoïdale reste de faible niveau.
En effet, dans le cas contraire, et on le constate sur la figure 22.7, l’approximation
par la tangente au point de fonctionnement n’est plus valide et la non-linéarité
de la caractéristique I(V ) provoquera l’apparition de composantes sinusoïdales de
fréquences multiples entières de la fréquence du signal sinusoïdal original.
• On parle souvent d’électronique linéaire mais cet état résulte seulement d’une
approximation valable uniquement dans le cas de signaux sinusoïdaux de faibles
amplitudes, d’où l’expression souvent utilisée d’électronique petit signal.
438
“Gautron_9782100543007” (Col. : ScienceSup3-193x250) — 2010/6/15 — 17:13 — page 438 — #448
i
i
i
i