Chapitre 22 • Diode à jonction
obtenue à partir de la pente de la caractéristique I(V) obtenue pour les valeurs élevées
du courant lorsque la caractéristique se rapproche d’une droite.
V
I d
I
V
PolarisaƟon
inverse
PolarisaƟon
directe
V s
V s
V s
R s
R s
Figure 22.5 Caractéristique et schéma électrique équivalent de la diode en considérant la
troisième approximation
On constate dans cette approximation que la tension aux bornes de la diode dépend du
courant direct qui la traverse contrairement à l’approximation précédente où sa tension
était toujours égale à V s . En effet, en polarisation directe, nous pouvons écrire :
V = V s + R s · I
Remarques
• Bien souvent, la seconde approximation sera retenue compte tenu de la valeur faible
de la résistance série.
• On constate que l’approximation par segments de droite introduit nécessairement
une erreur dans la résolution des circuits dans la mesure où la caractéristique réelle de
la diode n’est pas linéaire. Cette erreur sera d’autant plus grande que le courant dans
la diode est faible. En effet, on se situe dans ce cas dans le coude (figure 22.2) de la
caractéristique réelle alors que la caractéristique approximée s’en écarte sensiblement.
• La linéarisation comme nous venons de la voir est associée ici à un fonctionnement
statique de la diode, c’est-à-dire lorsque les grandeurs (tensions et courants) n’évoluent
pas en fonction du temps. Nous verrons plus loin une autre approche de la linéarisation
de la caractéristique I(V ) lorsque les grandeurs varient en fonction du temps. Nous
parlerons dans ce cas de fonctionnement dynamique.
22.4 POLARISATION DE LA DIODE
POINT DE FONCTIONNEMENT STATIQUE
La polarisation consiste à placer la diode dans un état de repos (ou de conduction) bien
défini. Cet état est caractérisé par un point sur la caractéristique I(V) de la diode. Ce
point est fixe dans la mesure où les tensions et courants ne varient pas en fonction du
temps. On parle d’ailleurs de point de fonctionnement statique. La notion de point de
fonctionnement est fondamentale avec le transistor que nous verrons dans le prochain
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“Gautron_9782100543007” (Col. : ScienceSup3-193x250) — 2010/6/15 — 17:13 — page 436 — #446
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