i
i
i
i
i
i
i
i
2. Entre t et t 1 , donner l’expression de u(t) en fonction de R, C, t, t 1 et E max .
3. Comment doit-on choisir C pour obtenir un bon lissage ? Entre t 1 et t 2 , quelle est
approximativement la durée du phénomène observé en fonction de la période T du
générateur ?
4. En déduire l’amplitude d’oscillation de u(t) puis son taux d’ondulation.
5. Proposez une valeur de C correcte. Peut-on choisir un condensateur électrochimique ?
6. Proposez une méthode de mesure de ce taux d’ondulation à l’aide d’un oscilloscope
seulement et en utilisant ses touches AC et DC.
Exercice 5
Étude dynamique d’une diode Zener
R p
r
u(t)
i
Y 2
Y 1
U eff = 24 V
La diode Zener du circuit ci-contre possède une
tension seuil (sens direct) V s = 0,6 V, une tension Zener (sens inverse) qui vaut V Z = 24 V et
une résistance dynamique r = 2,6 V en inverse
et en direct. La diode peut supporter une puissance maximale P = 50 W.
1. Calculer l’intensité maximale, en direct et en
inverse, que peut supporter la diode. En déduire la valeur de R p .
2. Représenter u(t) ainsi que les oscillogrammes obtenus sur les voies Y 1 et Y 2 .
Transistors
Exercice 6
Transistor et thermistance
Le transistor est un NPN dont le coefficient d’amplification en courant b vaut 100.
R L
E
R'
R (T)
1. R(T ) est une thermistance PTC dont la
résistance augmente avec la température. On
désire qu’à 20
◦ C, le transistor soit bloqué
(V BE < V s < 0,6 V) et donc que la lampe de
résistance R L soit éteinte. Puis, en élevant la
température de R(T ), on désire que le transistor se sature et que la lampe R L s’allume. On
utilise une lampe 3,7 V - 0,3 A et un générateur
parfait de f.e.m. E = 3,7 V.
a. Calculer la résistance R L de la lampe
b. Exprimer la condition de blocage du transistor pour T = T a = 20
◦ C. Sachant que
R(T a ) = 30 V, calculer la valeur minimum qu’il faut donner à R
. Par la suite, on prendra
R
= 200 V.
4. ÉLECTRONIQUE
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i
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2. Entre t et t 1 , donner l’expression de u(t) en fonction de R, C, t, t 1 et E max .
3. Comment doit-on choisir C pour obtenir un bon lissage ? Entre t 1 et t 2 , quelle est
approximativement la durée du phénomène observé en fonction de la période T du
générateur ?
4. En déduire l’amplitude d’oscillation de u(t) puis son taux d’ondulation.
5. Proposez une valeur de C correcte. Peut-on choisir un condensateur électrochimique ?
6. Proposez une méthode de mesure de ce taux d’ondulation à l’aide d’un oscilloscope
seulement et en utilisant ses touches AC et DC.
Exercice 5
Étude dynamique d’une diode Zener
R p
r
u(t)
i
Y 2
Y 1
U eff = 24 V
La diode Zener du circuit ci-contre possède une
tension seuil (sens direct) V s = 0,6 V, une tension Zener (sens inverse) qui vaut V Z = 24 V et
une résistance dynamique r = 2,6 V en inverse
et en direct. La diode peut supporter une puissance maximale P = 50 W.
1. Calculer l’intensité maximale, en direct et en
inverse, que peut supporter la diode. En déduire la valeur de R p .
2. Représenter u(t) ainsi que les oscillogrammes obtenus sur les voies Y 1 et Y 2 .
Transistors
Exercice 6
Transistor et thermistance
Le transistor est un NPN dont le coefficient d’amplification en courant b vaut 100.
R L
E
R'
R (T)
1. R(T ) est une thermistance PTC dont la
résistance augmente avec la température. On
désire qu’à 20
◦ C, le transistor soit bloqué
(V BE < V s < 0,6 V) et donc que la lampe de
résistance R L soit éteinte. Puis, en élevant la
température de R(T ), on désire que le transistor se sature et que la lampe R L s’allume. On
utilise une lampe 3,7 V - 0,3 A et un générateur
parfait de f.e.m. E = 3,7 V.
a. Calculer la résistance R L de la lampe
b. Exprimer la condition de blocage du transistor pour T = T a = 20
◦ C. Sachant que
R(T a ) = 30 V, calculer la valeur minimum qu’il faut donner à R
. Par la suite, on prendra
R
= 200 V.
4. ÉLECTRONIQUE
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