i
i
i
i
i
i
i
i
Régime linéaire
´ 2 < ´ < ´ 1 ⇒ V s2 < u s < V s1 ⇒ u s = A d ´
– L’A.O. amplifie la différence ´ = (e
1 ) − (e
− ), d’où son nom d’amplificateur de
différence.
u s est une fonction linéaire de ´, d’où son nom de circuit intégré linéaire.
– A d ≈ 10
5 , c’est l’amplification différentielle, donc G = 20 log A d = 100 dB, mais
on n’utilise pas directement cette amplification car on observe une grande dispersion
de A d d’un A.O. à l’autre ainsi que des dérives importantes de A d avec la température
ou lorsque V alim fluctue. Enfin à la moindre variation de ´, on passe en régime de
saturation.
– Si e
1 = 0, u s = A d (e
1
− e
− ) = −A d (e
− ) : u s et e
− sont en opposition de phase, d’où
le nom de borne inverseuse pour E
− .
– Si e
− = 0, u s = A d (e
1 ) : u s et e
1 sont en phase, d’où le nom de borne non inverseuse
pour E
1 .
Régime de saturation
∀´ tel que : ´ > ´ 1 : u s = V s1 ≈ V sat
∀´ tel que : ´ < ´ 2 : u s = V s2 ≈ −V sat
Ce régime correspond à une perte du pouvoir de commande de l’A.O..
u S
S
R e
R C
R S
e T
i
–
i
+
ε
E
–
E +
Modélisation de l’A.O. (amplification de
petits signaux)
R e est très grand (quelques 100 kV), c’est
l’inverse du transistor. R s est très petit
(quelques V) : u s est donc équivalent à un générateur de tension. On peut donc schématiser
l’A.O. par le schéma ci-contre.
V sat
– V sat
u s
ε = (e
+ ) – (e
– )
Avec e T = A d ´ :
– Si R c n’existe pas, u s = e T = A d ´
– Si R c existe, u s =
R c
R c 1 R s
e T
– Si R s R c , u s ≈ e T .
Amplificateur opérationnel idéal
R s = 0 ⇒ u s = e T = A d ´ = A d (e
1
−e
− ), ∀R c
R e → ∞, or ´ = R e (i1) fi ∞ ⇒ i
1 = i
− = 0
A d → ∞ en régime linéaire, or
u s = A d ´ fi ∞ ⇒ ´ = 0.
D’où la caractéristique de l’A.O. idéal cicontre.
4. ÉLECTRONIQUE
315
i
i
i
i
i
i
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Régime linéaire
´ 2 < ´ < ´ 1 ⇒ V s2 < u s < V s1 ⇒ u s = A d ´
– L’A.O. amplifie la différence ´ = (e
1 ) − (e
− ), d’où son nom d’amplificateur de
différence.
u s est une fonction linéaire de ´, d’où son nom de circuit intégré linéaire.
– A d ≈ 10
5 , c’est l’amplification différentielle, donc G = 20 log A d = 100 dB, mais
on n’utilise pas directement cette amplification car on observe une grande dispersion
de A d d’un A.O. à l’autre ainsi que des dérives importantes de A d avec la température
ou lorsque V alim fluctue. Enfin à la moindre variation de ´, on passe en régime de
saturation.
– Si e
1 = 0, u s = A d (e
1
− e
− ) = −A d (e
− ) : u s et e
− sont en opposition de phase, d’où
le nom de borne inverseuse pour E
− .
– Si e
− = 0, u s = A d (e
1 ) : u s et e
1 sont en phase, d’où le nom de borne non inverseuse
pour E
1 .
Régime de saturation
∀´ tel que : ´ > ´ 1 : u s = V s1 ≈ V sat
∀´ tel que : ´ < ´ 2 : u s = V s2 ≈ −V sat
Ce régime correspond à une perte du pouvoir de commande de l’A.O..
u S
S
R e
R C
R S
e T
i
–
i
+
ε
E
–
E +
Modélisation de l’A.O. (amplification de
petits signaux)
R e est très grand (quelques 100 kV), c’est
l’inverse du transistor. R s est très petit
(quelques V) : u s est donc équivalent à un générateur de tension. On peut donc schématiser
l’A.O. par le schéma ci-contre.
V sat
– V sat
u s
ε = (e
+ ) – (e
– )
Avec e T = A d ´ :
– Si R c n’existe pas, u s = e T = A d ´
– Si R c existe, u s =
R c
R c 1 R s
e T
– Si R s R c , u s ≈ e T .
Amplificateur opérationnel idéal
R s = 0 ⇒ u s = e T = A d ´ = A d (e
1
−e
− ), ∀R c
R e → ∞, or ´ = R e (i1) fi ∞ ⇒ i
1 = i
− = 0
A d → ∞ en régime linéaire, or
u s = A d ´ fi ∞ ⇒ ´ = 0.
D’où la caractéristique de l’A.O. idéal cicontre.
4. ÉLECTRONIQUE
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