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A. CORNET et J.-P. DEVILLE
I - 8 980
t
L
O
O
T -
a
I
\ \K“l I
L I s
Rendement de
Rendement
Annihilation
d’émission Auger
fluorescence
Fig. 4.11. Schéma de l’interaction entre les electrons et la matière.
On observera la diffraction des électrons lents (LEED) pour des energies incidentes comprises entre une quarantaine d‘eV et plusieurs centaines d‘eV et la diffraction des électrons rapides sous incidence rasante (RHEED) pour des énergies
comprises entre 5 et 40 keV. La diffraction avec des électrons transmis est utilisée
en microscopie électronique en transmission (microdiffraction) ;
2. des électrons inélastiquement diffusés qui ont subi des pertes d’énergie,
soit interagissant avec les vibrations du réseau cristallin (phonons), soit en
induisant des vibrations électroniques (plasmons). Ils donnent lieu aux spectroscopies de pertes caractéristiques (EELS, HREELS) qui sont encore sans grand
intérêt pour l’étude de surfaces industrielles ;
3. des électrons Auger obtenus à la suite d u n e ionisation d u n niveau interne
par u n mécanisme de relaxation identique à celui décrit dans le cas de l’absorption des rayons X ;
4. des electrons secondaires résultant de cascades d’interactions entre les
electrons qui voyagent dans la matière. Par convention, ils sont dits secondaires
vrais quand leur énergie est inférieure à 50 eV. Ils sont utilisés pour la microscopie a balayage (MEB) :
5. des rayons X obtenus selon u n mécanisme de relaxation identique à celui de
la fluorescence. Ils sont utilisés chaque fois que la sonde d‘investigation de la
matière est constituée d’électrons, microsonde électronique (EPMA : electron
probe microanalysis) en complément des microscopies électroniques (transmission et balayage) :
6. des photons W/visibles obtenus selon le processus de cathodo-luminescence.
A. CORNET et J.-P. DEVILLE
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Rendement de
Rendement
Annihilation
d’émission Auger
fluorescence
Fig. 4.11. Schéma de l’interaction entre les electrons et la matière.
On observera la diffraction des électrons lents (LEED) pour des energies incidentes comprises entre une quarantaine d‘eV et plusieurs centaines d‘eV et la diffraction des électrons rapides sous incidence rasante (RHEED) pour des énergies
comprises entre 5 et 40 keV. La diffraction avec des électrons transmis est utilisée
en microscopie électronique en transmission (microdiffraction) ;
2. des électrons inélastiquement diffusés qui ont subi des pertes d’énergie,
soit interagissant avec les vibrations du réseau cristallin (phonons), soit en
induisant des vibrations électroniques (plasmons). Ils donnent lieu aux spectroscopies de pertes caractéristiques (EELS, HREELS) qui sont encore sans grand
intérêt pour l’étude de surfaces industrielles ;
3. des électrons Auger obtenus à la suite d u n e ionisation d u n niveau interne
par u n mécanisme de relaxation identique à celui décrit dans le cas de l’absorption des rayons X ;
4. des electrons secondaires résultant de cascades d’interactions entre les
electrons qui voyagent dans la matière. Par convention, ils sont dits secondaires
vrais quand leur énergie est inférieure à 50 eV. Ils sont utilisés pour la microscopie a balayage (MEB) :
5. des rayons X obtenus selon u n mécanisme de relaxation identique à celui de
la fluorescence. Ils sont utilisés chaque fois que la sonde d‘investigation de la
matière est constituée d’électrons, microsonde électronique (EPMA : electron
probe microanalysis) en complément des microscopies électroniques (transmission et balayage) :
6. des photons W/visibles obtenus selon le processus de cathodo-luminescence.