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R. Pianel
états électroniques et des densités d'états, de tendre vers un système tridimensionnel
anisotrope.
a ) C o n f i n e m e n t
J , = II?
I
b ) C o m p r e s s i o n
u n i a x i a l e l e l o n g d e
roo11
E
kY
J = 312
A J , : 112
p a s d e
m é l a n g e
E
m é l a n g e
Figure 3.5 : Dispersion dans le plan des trous" lourds" et "légers" a) dans un puits quantique b) sous contrainte
uniaxiale le long de l'axe [OOl], souvent la direction de croissance. Remarquez le croisement lourdnéger hors de
k = O, qui devient anticroisement lorsqu'on inclut les termes de couplage. (Emprunté à Yu et Cardona [6] p.472)
3.2.2 Diversité des systèmes bidimensionnels.
Dans le système classique GaAsIGaAlAs, la proportion d'aluminium dans l'alliage est
maintenue inférieure à environ 35% afin qu'il reste direct (Cf. fig. 3. I). Le profil de potentiel
dessiné par les extrema de valence et de conduction, en k = O, est représenté sur la figure
(3.4 b d, e). On se trouve donc avec un puits de potentiel situé au même endroit dans la
structure pour les électrons et pour les trous. C'est un profil de twe I, dont on comprend déjà
qu'il sera particulièrement favorable aux transitions optiques électron-trou. Pour dessiner un