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B. Honerlage
Si l’on considère une création instantanée des porteurs à t = O par une impulsion de
Dirac, l’équation (79) devient dans ces conditions :
K étant un coefficient décrivant les pertes dues aux réflexions à la surface de l’échantillon. La
solution de l’équation (82) est donnée par [69] :
N ( x , t ) = N o [ l+e-‘lTD CO {7)le-”~ -
où No est la densité de porteurs initiale et O D le temps de diffusion des porteurs :
A2
2, =4n2D
Le déclin de la modulation spatiale est ainsi caractérisé par le temps 2, :
1 4n2D 1
zg A’
T,
-
+(84)
Ce temps de déclin du réseau est mesuré en observant la dépendance temporelle de la
diffraction d’un faisceau test P3 : l’efficacité de diffraction q est mesurée en fonction du retard
At entre l’impulsion de P3 et celles de Pl et Pz qui coïncident temporellement. Dans le cas de
faibles intensités d’excitation, l’efficacité de diffraction dépend de façon quadratique de la
variation Afi d’indice complexe et de la densité N de porteurs :
C’est pourquoi le temps T de déclin mesuré expérimentalement vaut la moitié du temps
de déclin du réseau :
z
z z - 5
(87)
2
L’équation (85) sépare deux contributions distinctes au déclin du réseau : celui-ci
s’efface dans le temps du fait de la diffusion des porteurs (premier terme de l’équation), mais
aussi du fait de la recombinaison de ces porteurs (deuxième terme). Expérimentalement, il est
possible de séparer ces deux contributions en réitérant la mesure de O, pour différents pas du
réseau de diffraction (en modifiant l’angle 8 d’intersection entre les faisceaux Pl et P2). La
dépendance de 112, en fonction de 4n?/A2 est alors linéaire, de pente donnée par le coefficient
de diffusion D et d’ordonnée à l’origine l/Ti.
Un exemple est montré sur la figure 53 où on a excité à température ambiante CdS
autour de la résonance excitonique. Les différentes courbes correspondent à des pas de réseau
différents [70]. Il faut noter que la décroissance est exponentielle mais dépend de
l’échantillon [71] parce que la durée de vie des paires électron-trous peut être limitée par des
effets extrinsèques (des centres de recombinaison, etc.). De plus, comme mentionné avant,
elle dépend de l’intensité d’excitation [72].
B. Honerlage
Si l’on considère une création instantanée des porteurs à t = O par une impulsion de
Dirac, l’équation (79) devient dans ces conditions :
K étant un coefficient décrivant les pertes dues aux réflexions à la surface de l’échantillon. La
solution de l’équation (82) est donnée par [69] :
N ( x , t ) = N o [ l+e-‘lTD CO {7)le-”~ -
où No est la densité de porteurs initiale et O D le temps de diffusion des porteurs :
A2
2, =4n2D
Le déclin de la modulation spatiale est ainsi caractérisé par le temps 2, :
1 4n2D 1
zg A’
T,
-
+(84)
Ce temps de déclin du réseau est mesuré en observant la dépendance temporelle de la
diffraction d’un faisceau test P3 : l’efficacité de diffraction q est mesurée en fonction du retard
At entre l’impulsion de P3 et celles de Pl et Pz qui coïncident temporellement. Dans le cas de
faibles intensités d’excitation, l’efficacité de diffraction dépend de façon quadratique de la
variation Afi d’indice complexe et de la densité N de porteurs :
C’est pourquoi le temps T de déclin mesuré expérimentalement vaut la moitié du temps
de déclin du réseau :
z
z z - 5
(87)
2
L’équation (85) sépare deux contributions distinctes au déclin du réseau : celui-ci
s’efface dans le temps du fait de la diffusion des porteurs (premier terme de l’équation), mais
aussi du fait de la recombinaison de ces porteurs (deuxième terme). Expérimentalement, il est
possible de séparer ces deux contributions en réitérant la mesure de O, pour différents pas du
réseau de diffraction (en modifiant l’angle 8 d’intersection entre les faisceaux Pl et P2). La
dépendance de 112, en fonction de 4n?/A2 est alors linéaire, de pente donnée par le coefficient
de diffusion D et d’ordonnée à l’origine l/Ti.
Un exemple est montré sur la figure 53 où on a excité à température ambiante CdS
autour de la résonance excitonique. Les différentes courbes correspondent à des pas de réseau
différents [70]. Il faut noter que la décroissance est exponentielle mais dépend de
l’échantillon [71] parce que la durée de vie des paires électron-trous peut être limitée par des
effets extrinsèques (des centres de recombinaison, etc.). De plus, comme mentionné avant,
elle dépend de l’intensité d’excitation [72].