ANNEXE 1 – L’ALTERNATIVE CRISTAL – LIQUIDE SURFONDU
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FIG. A1.11. Courbe (T -T -T ) de la silice pour un taux de cristallisation de 10
−6 ; d’après [18].
Le tableau A1.I donne des valeurs de
•
T C pour diverses substances. Les
variations de
•
T C avec la composition couvrent environ quinze décades.
L’épaisseur maximale Y C qu’il faut donner à l’échantillon pour éviter la
cristallisation peut être estimée [18] à partir de la relation :
Y C ≈ (D th t N )
1/2
où D th est la diffusivité thermique (quotient de la conductivité thermique
par le produit de la densité et de la chaleur massique).
Une estimation plus réaliste de la vitesse critique de refroidissement
peut être obtenue en construisant point par point des courbes dites « de
refroidissement continu » (CT) par une méthode initialement développée
pour la mise au point du traitement thermique des aciers [20] et appliquée plus tard à la formation des verres [21]. Dans cette méthode,
on se fixe une vitesse constante de refroidissement et on tient compte,
lorsque la température T est traversée, d’une part de la population de
cristaux déjà générés aux températures plus élevées et, d’autre part,
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FIG. A1.11. Courbe (T -T -T ) de la silice pour un taux de cristallisation de 10
−6 ; d’après [18].
Le tableau A1.I donne des valeurs de
•
T C pour diverses substances. Les
variations de
•
T C avec la composition couvrent environ quinze décades.
L’épaisseur maximale Y C qu’il faut donner à l’échantillon pour éviter la
cristallisation peut être estimée [18] à partir de la relation :
Y C ≈ (D th t N )
1/2
où D th est la diffusivité thermique (quotient de la conductivité thermique
par le produit de la densité et de la chaleur massique).
Une estimation plus réaliste de la vitesse critique de refroidissement
peut être obtenue en construisant point par point des courbes dites « de
refroidissement continu » (CT) par une méthode initialement développée
pour la mise au point du traitement thermique des aciers [20] et appliquée plus tard à la formation des verres [21]. Dans cette méthode,
on se fixe une vitesse constante de refroidissement et on tient compte,
lorsque la température T est traversée, d’une part de la population de
cristaux déjà générés aux températures plus élevées et, d’autre part,
