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LE VERRE
FIG. A1.9. Vitesse de croissance de la cristobalite dans la silice fondue ; d’après [13].
au voisinage de T f , une croissance linéaire de vη en fonction de T f − T
(Fig. A1.10). On appelle ce mode de croissance la croissance « normale »
du cristal.
Lorsqu’au contraire ΔS f /R > 6, la barrière énergétique pour la croissance du cristal est élevée. Elle varie selon l’orientation et, au lieu de
se disposer de manière aléatoire, les nouveaux atomes qui arrivent ont
tendance à se placer le long des marches existantes pour compléter la
dernière couche. Un exemple classique de ce processus est la croissance
« en vis ». L’interface est dite atomiquement « lisse ». Ce mécanisme de
croissance est plus lent que le précédent. La fraction de sites disponibles,
c’est-à-dire ceux qui forment les marches, est fonction de la température [15] :
f ≈
T f − T
2 π T f
(A1.23)
et puisque f n’est plus constant, on n’observe plus de proportionnalité
entre vη et T f − T (Fig. A1.10).
Pour plus de détails on pourra se reporter à l’article de revue de
Uhlmann [16].
Dans la pratique, la composition du cristal diffère la plupart du temps
sensiblement de celle du liquide. La croissance est alors limitée plutôt
par la diffusion des atomes dans le liquide que par les barrières énergétiques à l’interface [16]. Si l’échelle du champ de diffusion ne change
pas au cours du temps, la vitesse de croissance demeure indépendante