13 K. Nielsch, F. Muller, An-Pong Li
et al., Advanced Mater., 2000, 12, 582–
586.
14 Y. Lei, L. D. Zhang, G. W. Meng
et al., Appl. Phys. Lett., 2001, 78, 1125–
1127; G. S. Huang, X. L. Wu, Y. F.
Mei et al., J. Appl. Phys., 2003, 93,
582–585.
15 H. Masuda, H. Yamada, M. Satoh
et al., Appl. Phys. Lett., 1997, 71, 2770–
2772.
16 H. Cao, C. Tie, Z. Xu et al., Appl.
Phys. Lett., 2001, 78, 1592–1594.
17 J. Bao, Q. Zhou, J. Hong et al., Appl.
Phys. Lett., 2002, 81, 4592–4594.
18 X. Mei, D. Kim, H. E. Ruda et al.,
Appl. Phys. Lett., 2002, 81, 361–363.
19 Kai Liu, J. Nogue’s, C. Leighton et al.,
Appl. Phys. Lett., 2002, 81, 4434–4436.
20 Y. Kanamori, K. Hane, H. Sai et al.,
Appl. Phys. Lett., 2001, 78, 142–143.
21 J. Haermans, C. M. Thrush, Y. M.
Lin et al., Phys. Rev. B, 2000, 61,
2921–2930.
22 M. Park, C. Harrison, P. M.
Chaikin et al., Science 1997, 276,
1401–1404.
23 T. Thurn-Albrecht, J. Schotter,
G. A. Kastle et al., Science, 2000, 290,
2126–2129.
24 P. Mansky, Y. Liu, E. Huang et al.,
Science, 1997, 275, 1458–1460.
25 K. Liu, S. M. Baker, M. Touominen
et al., Phys. Rev. B, 2001, 63,
060403(R).
26 W. D. Williams, N. Giordano, Phys.
Rev. B, 1986, 33, 8146–8154.
27 T. M. Whiteney et al., Science, 1993,
261, 1316.
28 W. Schwarzacher, K. Attenborough, A. Michel et al., J. Magn.
Magn. Mater., 1997, 165, 23–29; G. P.
Heydon, S. R. Hoon, A. N. Farley
et al., J. Phys. D, Appl. Phys., 1997,
30, 1083–1093.
29 L. Piraux, J. M. George, J. F.
Despres et al., Appl. Phys. Lett., 1994,
65, 2484–2486.
30 A. Blondel, J. P. Meier, B. Doudin
et al., Appl. Phys. Lett. 1994, 65, 3019–
3021.
31 K. Liu, K. Nagodawithana, P. C.
Searson et al., Phys. Rev. B, 1995, 51,
7381–7384.
32 B. Doudin, G. Redmond, S. E.
Gilbert et al., Phys. Rev. Lett., 1997,
79, 933–936.
33 S. Valizadeh, J. M. George, P.
Leisner et al., Thin Solid Films, 2002,
402, 262–271.
34 Z. Zhang, X. Sun, M. S.
Dresselhaus et al., Appl. Phys. Lett.,
1998, 73, 1589–1591; Y. Peng, D. H.
Quin, R. J. Zhou et al., Mater. Sci.
Eng. B, 2000, 77, 246–249; K. Hong,
F. Y. Yang, K. Liu et al., J. Appl. Phys.,
1999, 85, 6184–6186, K. Liu, C. L.
Chein, P. C. Searson, Phys. Rev. B,
1998, 58, R14681–14684.
35 K. Nielsch, F. Muller, A.-P. Li et al.,
Adv. Mater., 2000, 12, 582–586.
36 A. K. Mukenga Bantu, J. Rivas, G.
Zaragoza et al., J. Non Cryst. Solids,
2001, 287, 5–9.
37 G. Yi, W. Schwarzacher, Appl. Phys.
Lett., 1999, 74, 1746–1748.
38 A. Bid, K. S. Shankar, A. K.
Raychaudhuri, submitted.
39 M. J. Zheng, L. D. Zhang, G. H. Li
et al., Appl. Phys. Lett., 2001, 79, 839–
841.
40 Y. Li, G. W. Meng, L. D. Zhang et al.,
Appl. Phys. Lett., 2000, 76, 2011–2013.
41 A. Balandin, K. L. Wang, N.
Kouklin et al., Appl. Phys. Lett., 2000,
76, 137–139.
42 C. J. Brinker, G. W. Scherer, Sol-Gel
Science, Academic Press, New York
1990.
43 K. S. Shankar, S. Kar, A. K.
Raychaudhuri, Solid State Communication, accepted.
44 K. S. Shankar, S. Karr, A. K.
Raychaudhuri, submitted.
45 B. B. Lakshmi, C. J. Patrissi, C. R.
Martin, Chem. Mater., 1997, 9, 2544–
2550.
46 Y. Lei, L. D. Zhang, G. W. Meng
et al., Appl. Phys. Lett., 2001, 78, 1125–
1127.
47 Y. L. Shi, X. G. Zhang, H. L. Li,
Mater. Sci. Eng. A, 2001, 287, 1343–48.
48 J. Bao, C. Tie, Z. Xu et al., Adv.
Mater., 2002, 14, 44–47.
49 Y. Zhou, Mater. Sci. Eng. Sect. A,
2001, 287, 245–252.
50 Y. Zhou, H. Li, J. Mater. Chem., 2002,
12, 681–686.
References 721
et al., Advanced Mater., 2000, 12, 582–
586.
14 Y. Lei, L. D. Zhang, G. W. Meng
et al., Appl. Phys. Lett., 2001, 78, 1125–
1127; G. S. Huang, X. L. Wu, Y. F.
Mei et al., J. Appl. Phys., 2003, 93,
582–585.
15 H. Masuda, H. Yamada, M. Satoh
et al., Appl. Phys. Lett., 1997, 71, 2770–
2772.
16 H. Cao, C. Tie, Z. Xu et al., Appl.
Phys. Lett., 2001, 78, 1592–1594.
17 J. Bao, Q. Zhou, J. Hong et al., Appl.
Phys. Lett., 2002, 81, 4592–4594.
18 X. Mei, D. Kim, H. E. Ruda et al.,
Appl. Phys. Lett., 2002, 81, 361–363.
19 Kai Liu, J. Nogue’s, C. Leighton et al.,
Appl. Phys. Lett., 2002, 81, 4434–4436.
20 Y. Kanamori, K. Hane, H. Sai et al.,
Appl. Phys. Lett., 2001, 78, 142–143.
21 J. Haermans, C. M. Thrush, Y. M.
Lin et al., Phys. Rev. B, 2000, 61,
2921–2930.
22 M. Park, C. Harrison, P. M.
Chaikin et al., Science 1997, 276,
1401–1404.
23 T. Thurn-Albrecht, J. Schotter,
G. A. Kastle et al., Science, 2000, 290,
2126–2129.
24 P. Mansky, Y. Liu, E. Huang et al.,
Science, 1997, 275, 1458–1460.
25 K. Liu, S. M. Baker, M. Touominen
et al., Phys. Rev. B, 2001, 63,
060403(R).
26 W. D. Williams, N. Giordano, Phys.
Rev. B, 1986, 33, 8146–8154.
27 T. M. Whiteney et al., Science, 1993,
261, 1316.
28 W. Schwarzacher, K. Attenborough, A. Michel et al., J. Magn.
Magn. Mater., 1997, 165, 23–29; G. P.
Heydon, S. R. Hoon, A. N. Farley
et al., J. Phys. D, Appl. Phys., 1997,
30, 1083–1093.
29 L. Piraux, J. M. George, J. F.
Despres et al., Appl. Phys. Lett., 1994,
65, 2484–2486.
30 A. Blondel, J. P. Meier, B. Doudin
et al., Appl. Phys. Lett. 1994, 65, 3019–
3021.
31 K. Liu, K. Nagodawithana, P. C.
Searson et al., Phys. Rev. B, 1995, 51,
7381–7384.
32 B. Doudin, G. Redmond, S. E.
Gilbert et al., Phys. Rev. Lett., 1997,
79, 933–936.
33 S. Valizadeh, J. M. George, P.
Leisner et al., Thin Solid Films, 2002,
402, 262–271.
34 Z. Zhang, X. Sun, M. S.
Dresselhaus et al., Appl. Phys. Lett.,
1998, 73, 1589–1591; Y. Peng, D. H.
Quin, R. J. Zhou et al., Mater. Sci.
Eng. B, 2000, 77, 246–249; K. Hong,
F. Y. Yang, K. Liu et al., J. Appl. Phys.,
1999, 85, 6184–6186, K. Liu, C. L.
Chein, P. C. Searson, Phys. Rev. B,
1998, 58, R14681–14684.
35 K. Nielsch, F. Muller, A.-P. Li et al.,
Adv. Mater., 2000, 12, 582–586.
36 A. K. Mukenga Bantu, J. Rivas, G.
Zaragoza et al., J. Non Cryst. Solids,
2001, 287, 5–9.
37 G. Yi, W. Schwarzacher, Appl. Phys.
Lett., 1999, 74, 1746–1748.
38 A. Bid, K. S. Shankar, A. K.
Raychaudhuri, submitted.
39 M. J. Zheng, L. D. Zhang, G. H. Li
et al., Appl. Phys. Lett., 2001, 79, 839–
841.
40 Y. Li, G. W. Meng, L. D. Zhang et al.,
Appl. Phys. Lett., 2000, 76, 2011–2013.
41 A. Balandin, K. L. Wang, N.
Kouklin et al., Appl. Phys. Lett., 2000,
76, 137–139.
42 C. J. Brinker, G. W. Scherer, Sol-Gel
Science, Academic Press, New York
1990.
43 K. S. Shankar, S. Kar, A. K.
Raychaudhuri, Solid State Communication, accepted.
44 K. S. Shankar, S. Karr, A. K.
Raychaudhuri, submitted.
45 B. B. Lakshmi, C. J. Patrissi, C. R.
Martin, Chem. Mater., 1997, 9, 2544–
2550.
46 Y. Lei, L. D. Zhang, G. W. Meng
et al., Appl. Phys. Lett., 2001, 78, 1125–
1127.
47 Y. L. Shi, X. G. Zhang, H. L. Li,
Mater. Sci. Eng. A, 2001, 287, 1343–48.
48 J. Bao, C. Tie, Z. Xu et al., Adv.
Mater., 2002, 14, 44–47.
49 Y. Zhou, Mater. Sci. Eng. Sect. A,
2001, 287, 245–252.
50 Y. Zhou, H. Li, J. Mater. Chem., 2002,
12, 681–686.
References 721
