51 T. Kyotani, L. Tsai, A. Tomita, Chem.
Mater., 1996, 8, 2109–2113; G. Che, B.
B. Lakshmi, C. R. Martin et al.,
Chem. Mater., 1998, 10, 260–267.
52 J. Bao, Q. Zhou, J. Hong et al., Appl.
Phys. Lett. 2002, 81, 4592–4594.
53 G. S. Cheng, L. D. Zhang, Y. Zhu
et al., Appl. Phys. Lett., 1999, 75, 2455–
2457.
54 J. Zhang, L. D. Zhang, X. F. Wang
et al., J. Chem. Phys., 2001, 115, 5714–
5717; L. D. Zhang, G. W. Meng, F.
Phillip, Mater. Sci. Eng. A, 2000, 286,
34–38.
55 S. L. Sung, S. H. Tsai, C. H. Tseng
et al., Appl. Phys. Lett., 1999, 74, 197–
199.
56 K.-K. Lew, C. Reuther, A. H. Carim
et al., J. Vac. Sci. Technol. B, 2002, 20,
389–392.
57 D. M. Eigler, E. K. Schweizer,
Nature, 1990, 344, 524–527.
58 M. A. McCord, R. F. W. Pease,
J. Vac. Sci. Technol. B, 1988, 6,
293–296.
59 J. A. Dahata, Science, 1995, 270,
1625–1626.
60 P. M. Campbell, E. C. Snow,
Semicond. Sci. Technol., 1996, 11,
1558–1562.
61 N. Carbrera, N. F. Mott, Rep. Prog.
Phys., 1949, 12, 163–181.
62 S. C. Minne, J. D. Adams, G.
Yaralioglu et al., Appl. Phys. Lett.,
1998, 73, 1742–1744.
63 T. Thundat, L. A. Nagahara, P. I.
Oden et al., J. Vac. Sci. Technol. A,
1990, 8, 3537–3541.
64 H. Sigumura, T. Uchida, N.
Kitamura et al., Jpn. J. Appl. Phys.,
1993, 32, L553–L555.
65 K. Matsumoto, S. Takahashi, M.
Ishii et al., Jpn. J. Appl. Phys., 1995,
34, 1387–1390; K. Matsumoto, M.
Ishii, K. Seguwa et al., Appl. Phys.
Lett., 1996, 68, 34–36.
66 E. S. Snow, D. Park, P. M. Campbell,
Appl. Phys. Lett., 1996, 69, 269–271.
67 T. Schmidt, R. Martel, R. L.
Sandstrom et al., Appl. Phys. Lett.,
1998, 73, 2173–2175.
68 K. Matsumoto, Y. Gotoh, T. Maeda
et al., Appl. Phys. Lett., 2000, 76, 239–
241.
69 J. A. Dagata, J. Schneir, H. H.
Harary et al., Appl. Phys. Lett., 1990,
56, 2001–2003.
70 E. S. Snow, P. M. Campbell, Appl.
Phys. Lett., 1994, 64, 1932–1934.
71 M. Lazzarino, S. Heun, B. Ressel
et al., Appl. Phys. Lett., 2002, 81, 2842–
2844.
72 J. W. Lyding, T. C. Shen, J. S.
Hubacek et al., Appl. Phys. Lett., 1994,
64, 2010–2012.
73 L. Tsau, D. Wang, K. L. Wang, Appl.
Phys. Lett., 1994, 64, 2133–2135.
74 A. E. Gordon, R. T. Fayfield, D. D.
Litfin et al., J. Vac. Sci. Technol. B,
1995, 13, 2805–2808.
75 S. C. Minne, Ph. Flueckiger, H. T.
Sol et al., J. Vac. Sci. Technol. B, 1995,
13, 1380–1385.
76 P. A. Fontaine, E. Dubois, D.
Stievenard, J. Appl. Phys., 1998, 84,
1776–1781.
77 K. Wilder, C. F. Quate, D.
Adderton et al., Appl. Phys. Lett.,
1998, 73, 2527–2529.
78 B. Legrand, D. Steivenard, Appl.
Phys. Lett., 1999, 74, 4049–4051.
79 K. Sugawara, T. Gotoh, K. Tanaka,
Appl. Phys. Lett., 2001, 79, 1549–
1551.
80 T. Yasuda, S. Yamasaki, S. Gwo, Appl.
Phys. Lett., 2000, 77, 3917–3919.
81 E. S. Snow, P. M. Campbell, H.
Twigg et al., Appl. Phys. Lett., 2001,
79, 1109–1111.
82 C. A. Mirkin, S. Homg, L. Demeres,
Chem.Phys.Chem., 2001, 2, 237–39;
R. D. Piner, J. Zhu, F. Xu et al.,
Science, 1999, 283, 661–663.
83 R. D. Piner, C. A. Mirkin, Langmuir,
1997, 13, 6864–6868.
84 S. Hong, J. Zhu, C. A. Mirkin,
Science, 1999, 286, 523–525.
85 S. Hong, C. A. Mirkin, Science, 2000,
288, 1808–1811.
86 S. Hong, J. Zhu, C. A. Mirkin,
Langmuir, 1999, 15, 7897–7900.
87 D. A. Weinberger, S. Hong, C. A.
Mirkin et al., Adv. Mater., 2000, 12,
1600–1603.
88 A. Ivanisevic, C. A. Mirkin, J. Am.
Chem. Soc., 2001, 123, 7887–7889.
89 Y. Li, B. N. Maynor, J. Liu, J. Am.
Chem. Soc., 2001, 123, 2105–2106.
21 Nanolithography and Nanomanipulation
722
Mater., 1996, 8, 2109–2113; G. Che, B.
B. Lakshmi, C. R. Martin et al.,
Chem. Mater., 1998, 10, 260–267.
52 J. Bao, Q. Zhou, J. Hong et al., Appl.
Phys. Lett. 2002, 81, 4592–4594.
53 G. S. Cheng, L. D. Zhang, Y. Zhu
et al., Appl. Phys. Lett., 1999, 75, 2455–
2457.
54 J. Zhang, L. D. Zhang, X. F. Wang
et al., J. Chem. Phys., 2001, 115, 5714–
5717; L. D. Zhang, G. W. Meng, F.
Phillip, Mater. Sci. Eng. A, 2000, 286,
34–38.
55 S. L. Sung, S. H. Tsai, C. H. Tseng
et al., Appl. Phys. Lett., 1999, 74, 197–
199.
56 K.-K. Lew, C. Reuther, A. H. Carim
et al., J. Vac. Sci. Technol. B, 2002, 20,
389–392.
57 D. M. Eigler, E. K. Schweizer,
Nature, 1990, 344, 524–527.
58 M. A. McCord, R. F. W. Pease,
J. Vac. Sci. Technol. B, 1988, 6,
293–296.
59 J. A. Dahata, Science, 1995, 270,
1625–1626.
60 P. M. Campbell, E. C. Snow,
Semicond. Sci. Technol., 1996, 11,
1558–1562.
61 N. Carbrera, N. F. Mott, Rep. Prog.
Phys., 1949, 12, 163–181.
62 S. C. Minne, J. D. Adams, G.
Yaralioglu et al., Appl. Phys. Lett.,
1998, 73, 1742–1744.
63 T. Thundat, L. A. Nagahara, P. I.
Oden et al., J. Vac. Sci. Technol. A,
1990, 8, 3537–3541.
64 H. Sigumura, T. Uchida, N.
Kitamura et al., Jpn. J. Appl. Phys.,
1993, 32, L553–L555.
65 K. Matsumoto, S. Takahashi, M.
Ishii et al., Jpn. J. Appl. Phys., 1995,
34, 1387–1390; K. Matsumoto, M.
Ishii, K. Seguwa et al., Appl. Phys.
Lett., 1996, 68, 34–36.
66 E. S. Snow, D. Park, P. M. Campbell,
Appl. Phys. Lett., 1996, 69, 269–271.
67 T. Schmidt, R. Martel, R. L.
Sandstrom et al., Appl. Phys. Lett.,
1998, 73, 2173–2175.
68 K. Matsumoto, Y. Gotoh, T. Maeda
et al., Appl. Phys. Lett., 2000, 76, 239–
241.
69 J. A. Dagata, J. Schneir, H. H.
Harary et al., Appl. Phys. Lett., 1990,
56, 2001–2003.
70 E. S. Snow, P. M. Campbell, Appl.
Phys. Lett., 1994, 64, 1932–1934.
71 M. Lazzarino, S. Heun, B. Ressel
et al., Appl. Phys. Lett., 2002, 81, 2842–
2844.
72 J. W. Lyding, T. C. Shen, J. S.
Hubacek et al., Appl. Phys. Lett., 1994,
64, 2010–2012.
73 L. Tsau, D. Wang, K. L. Wang, Appl.
Phys. Lett., 1994, 64, 2133–2135.
74 A. E. Gordon, R. T. Fayfield, D. D.
Litfin et al., J. Vac. Sci. Technol. B,
1995, 13, 2805–2808.
75 S. C. Minne, Ph. Flueckiger, H. T.
Sol et al., J. Vac. Sci. Technol. B, 1995,
13, 1380–1385.
76 P. A. Fontaine, E. Dubois, D.
Stievenard, J. Appl. Phys., 1998, 84,
1776–1781.
77 K. Wilder, C. F. Quate, D.
Adderton et al., Appl. Phys. Lett.,
1998, 73, 2527–2529.
78 B. Legrand, D. Steivenard, Appl.
Phys. Lett., 1999, 74, 4049–4051.
79 K. Sugawara, T. Gotoh, K. Tanaka,
Appl. Phys. Lett., 2001, 79, 1549–
1551.
80 T. Yasuda, S. Yamasaki, S. Gwo, Appl.
Phys. Lett., 2000, 77, 3917–3919.
81 E. S. Snow, P. M. Campbell, H.
Twigg et al., Appl. Phys. Lett., 2001,
79, 1109–1111.
82 C. A. Mirkin, S. Homg, L. Demeres,
Chem.Phys.Chem., 2001, 2, 237–39;
R. D. Piner, J. Zhu, F. Xu et al.,
Science, 1999, 283, 661–663.
83 R. D. Piner, C. A. Mirkin, Langmuir,
1997, 13, 6864–6868.
84 S. Hong, J. Zhu, C. A. Mirkin,
Science, 1999, 286, 523–525.
85 S. Hong, C. A. Mirkin, Science, 2000,
288, 1808–1811.
86 S. Hong, J. Zhu, C. A. Mirkin,
Langmuir, 1999, 15, 7897–7900.
87 D. A. Weinberger, S. Hong, C. A.
Mirkin et al., Adv. Mater., 2000, 12,
1600–1603.
88 A. Ivanisevic, C. A. Mirkin, J. Am.
Chem. Soc., 2001, 123, 7887–7889.
89 Y. Li, B. N. Maynor, J. Liu, J. Am.
Chem. Soc., 2001, 123, 2105–2106.
21 Nanolithography and Nanomanipulation
722