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Analyse et technologie des surfaces
• vitesse de déposition: 2 µm/heure,
• orientation du germe par rapport à la surface: 〈111〉,
• matériau: titane.
15.11.12 Donner la composition de Ga x Al 1-x As pour laquelle la déviation de
congruence par rapport au GaP est nulle.
15.11.13 Calculer le rayon d’un électron qui quitte la surface avec une vitesse négligeable pour une décharge avec une tension de 600 V et un champ magnétique parallèle à la surface de 10 5 A/m.
15.11.14 Calculer l’énergie déposée dans la cathode par atome pulvérisée aux
conditions suivantes:
• cible: aluminium,
• tension de travail: 500 V,
• taux de pulvérisation: 0,3,
• électrons émis par ion: 0,01.
15.11.15 Calculer le flux d’eau de refroidissement pour la cathode en acceptant une
différence de 30 ˚C entre l’entrée et la sortie pour une vitesse de dépôt de 10 g de
titane à l’heure.
15.11.16 Calculer les concentrations superficielles stationnaires des éléments d’une
cible en acier 18 10 4 en négligeant tout effet de matrice pour le coefficient de pulvérisation pour une pulvérisation sous
• argon,
• xénon.
15.11.17 Comparer l’apport d’énergie du molécule de SiO 2 déposé par les 3 processus suivants:
PVD non réactif
PVD réactif
CVD
15.11.18 Pourquoi faut-il considérer le coefficient d’adhésion sur le revêtement et
non celui du solide pour estimer K?
SiO 2
solide
→
sublimation SiO 2
gaz
→
condensation SiO 2
solide
Si solide
→ Si gaz
Si gaz O 2
+
→ SiO 2
solide
SiH 4 2O 2
+
→ SiO 2
solide
Analyse et technologie des surfaces
• vitesse de déposition: 2 µm/heure,
• orientation du germe par rapport à la surface: 〈111〉,
• matériau: titane.
15.11.12 Donner la composition de Ga x Al 1-x As pour laquelle la déviation de
congruence par rapport au GaP est nulle.
15.11.13 Calculer le rayon d’un électron qui quitte la surface avec une vitesse négligeable pour une décharge avec une tension de 600 V et un champ magnétique parallèle à la surface de 10 5 A/m.
15.11.14 Calculer l’énergie déposée dans la cathode par atome pulvérisée aux
conditions suivantes:
• cible: aluminium,
• tension de travail: 500 V,
• taux de pulvérisation: 0,3,
• électrons émis par ion: 0,01.
15.11.15 Calculer le flux d’eau de refroidissement pour la cathode en acceptant une
différence de 30 ˚C entre l’entrée et la sortie pour une vitesse de dépôt de 10 g de
titane à l’heure.
15.11.16 Calculer les concentrations superficielles stationnaires des éléments d’une
cible en acier 18 10 4 en négligeant tout effet de matrice pour le coefficient de pulvérisation pour une pulvérisation sous
• argon,
• xénon.
15.11.17 Comparer l’apport d’énergie du molécule de SiO 2 déposé par les 3 processus suivants:
PVD non réactif
PVD réactif
CVD
15.11.18 Pourquoi faut-il considérer le coefficient d’adhésion sur le revêtement et
non celui du solide pour estimer K?
SiO 2
solide
→
sublimation SiO 2
gaz
→
condensation SiO 2
solide
Si solide
→ Si gaz
Si gaz O 2
+
→ SiO 2
solide
SiH 4 2O 2
+
→ SiO 2
solide