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Analyse et technologie des surfaces
L’épaisseur de l’interface et l’état d’oxydation de métaux comme le plomb et
le tantale sont contrôlés par une telle analyse. On observe bien que les couches de
plomb et de tantale sont bien interdiffusées. L’état d’oxydation est mesuré non seulement par la présence de l’oxygène, mais aussi par l’étude des spectres détaillés de
chaque élément qui ont été mesurés simultanément. La figure 6.14 montre comme
exemple d’un spectre détaillé le doublet du Ta 4f(7/2 + 5/2). Une déconvolution
(fitting) du spectre permet de mettre en évidence plusieurs états d’oxydation du tantale. Dans la figure 6.14, on observe bien les doublets des trois états d’oxydation,
notamment celui du Ta 2 O 5 , du TaO et du tantale. Le TaO n’est trouvé que pendant le
décapage. Cette réduction chimique est un artefact dû au décapage préférentiel de
l’oxygène pendant l’acquisition du profil.
silicium
cavité de silicium (etch)
couches d’absorption IR
électrode
Pb(Ti, Zr)O 3
Pt
Si 3 N 4 /SiO 2
SiO 2
Fig. 6.12 Schéma d’un détecteur pyroélectrique (d’après [6.13]).
Fig. 6.13 Profil en profondeur ESCA d’une couche de Platine sur Si 3 N 4 avec une couche de Tantale
et de Plomb à l’interface.
8000
6000
4000
2000
0
0
1 0
2 0
3 0
t [min]
I
[aire]
Pt
Ta
C
O Pb
Si(Si 3 N 4 )