Profils en profondeur
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Le schéma du système multicouches sur un échantillon de Si nitruré en surface
est montré à la figure 6.12. Entre la couche de PZT [Pb(Ti,Zr)O 3 ] et celle de Si 3 N 4 /
SiO 2 se trouve une couche de platine. Cette couche de platine est nécessaire car il
n’est pas possible de faire croître le PZT directement sur le silicium à cause des
réactions chimiques à l’interface. L’analyse en profondeur sert à contrôler le dépôt
des couches, leurs interfaces et l’état d’oxydation.
La figure 6.13 montre l’exemple du profil des couches successives de Pt/Pb/Ta
sur Si 3 N 4 : les intensités I des pics mesurés sont montrées en fonction du temps de
décapage. En surface (t = 0) il y a l’électrode en platine avec un peu de carbone
comme contamination. En-dessous de cette couche (entre 5-15 min) se trouve la
couche qui contient du plomb et de l’oxygène. Il y une couche de tantale à l’interface entre la couche de plomb (PZT) et le substrat qui favorise l’adhésion des PZT.
Le substrat (Si 3 N 4 ) mis en évidence par le pic de Si est visible dans la figure 6.13 à
partir de t = 12 min.
Fig. 6.11 Profils en profondeur ESCA à travers une couche SiO 1.85 déposée par pulvérisation cathodique magnétron DC sur du PET : (a) PET non modifié; (b) PET traité par un traitement plasma N 2
(200 W) (d’après [6.12]).
0
1 0
2 0
3 0
4 0
5 0
(a)
I
[u.a.]
SiOx
O(1s)
Si(2p)
t [min]
PET
C(1s)
0
1 0
2 0
3 0
4 0
5 0
(b)
I
[u.a.]
SiOx
O(1s)
Si(2p)
t [min]
PET
C(1s)