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Chapitre 11 : Transport de matiere (en I'absence de champ electrique)
Prenons maintenant le cas du chlorure de potassium dope par CaCl 2 .
Cela conduit a la formation de lacunes cationiques telles que [Ca^ = [V£].
La concentration en lacunes est directement imposee par la concentration
en dopants, si bien que Ton peut negliger les defauts de Schottky.
L'expression du coefficient de diffusion du potassium devient :
La diffusion ne depend plus que de la temperature. Si Ton reporte les
variations du logarithme du coefficient de diffusion en fonction de 1/T,
figure 11.16, on obtient deux droites :
- a basse temperature (T < T t ), la teneur en lacunes cationiques est
imposee par le taux de calcium. C'est le domaine extrinseque puisque les proprietes sont imposees par un element
etranger. La pente de la droite donne la valeur de 1'enthalpie de
migration AH m ;
FlG. 11.16 - Diffusion du potassium dans KC1 dope avec CaCl 2 . Ces mesures
permettent de determiner, a la fois, les enthalpies de migration et de formation
des defauts.
Chapitre 11 : Transport de matiere (en I'absence de champ electrique)
Prenons maintenant le cas du chlorure de potassium dope par CaCl 2 .
Cela conduit a la formation de lacunes cationiques telles que [Ca^ = [V£].
La concentration en lacunes est directement imposee par la concentration
en dopants, si bien que Ton peut negliger les defauts de Schottky.
L'expression du coefficient de diffusion du potassium devient :
La diffusion ne depend plus que de la temperature. Si Ton reporte les
variations du logarithme du coefficient de diffusion en fonction de 1/T,
figure 11.16, on obtient deux droites :
- a basse temperature (T < T t ), la teneur en lacunes cationiques est
imposee par le taux de calcium. C'est le domaine extrinseque puisque les proprietes sont imposees par un element
etranger. La pente de la droite donne la valeur de 1'enthalpie de
migration AH m ;
FlG. 11.16 - Diffusion du potassium dans KC1 dope avec CaCl 2 . Ces mesures
permettent de determiner, a la fois, les enthalpies de migration et de formation
des defauts.
