3. Systèmes k
L’étude de la structure électronique de l’éthylène
est assez compliquée car il y a en
tout douze OA de valence à prendre en compte : quatre par atome de carbone et quatre
pour l’ensemble des quatre atomes d’hydrogène. Cependant, l’étude du seul système
K est nettement plus facile : si l’on analyse la symétrie des OA par rapport au plan
moléculaire, toutes sont symétriques à l’exception des deux OA 2p_^ portées chacune
par un atome de carbone. Ces deux OA ont un recouvrement nul par symétrie avec les
dix autres OA symétriques et ne peuvent donc interagir que l’une avec l’autre. L’interaction de ces deux OA identiques est représentée ci-dessous et conduit à la formation
d’une OM liante, généralement notée n et d ’une OM antiliante notée 7C*. Deux électrons
venant peupler l’OM liante, il se forme une liaison n entre les deux atomes de carbone :
c’est l’une des deux liaisons de la structure de Lewis de cette molécule.
■a
O
c
ГЗ
Q
Ю H
O
rsj
(S)
XI
>•
Q .
O
U
Système к de
Un raisonnement parfaitement analogue peut être appliqué dans le cas du formaldéhyde H2CO qui est également une molécule plane. Dans le système к de cette molécule,
il y a interaction entre Г OA 2p^ du carbone avec Г OA 2p^ de l’oxygène qui est plus
basse en énergie. On utilise alors le diagramme d ’interaction entre deux OA d’énergies
différentes représenté ci-dessous. Deux électrons viennent occuper ГОМ liante et ГОМ
antiliante est vacante. Il se forme ainsi une liaison к entre les deux atomes qui, à nouveau, est l’une des deux liaisons données par la structure de Lewis de cette molécule. On
remarquera que, ГОМ liante se développant majoritairement sur l’atome d ’oxygène, les
deux électrons sont plus proches de l’oxygène que du carbone : la liaison est polarisée.
H—- c = o
\
. I
Système к de HXO
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