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LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
PRÉALABLES
• Connaître les lois fondamentales de l’électricité.
• Maîtriser les unités du système international.
MOTS CLÉS
• Transistors NPN, PNP.
• Relations fondamentales, réseau de caractéristique, polarisation du transistor,
régime dynamique, amplification.
• Montages fondamentaux.
OBJECTIFS
• Caractériser le composant par son réseau de caractéristique.
• Déterminer le point de fonctionnement statique.
• Donner le schéma équivalent en régime dynamique.
• En déduire les principales caractéristiques dynamiques : gain, impédance d’entrée et de sortie.
23.1 INTRODUCTION
Le transistor bipolaire est un composant élaboré en 1948 par Bardeen, Brattain et
Schockley.
Il s’agit d’un composant constitué par la juxtaposition de deux jonctions PN soit
trois électrodes. Suivant la configuration de ces jonctions, on trouve les transistors NPN
ou PNP. Pour autant, son comportement ne peut être assimilé aussi simplement au
fonctionnement de deux diodes à jonctions PN montées en tête-bêche.
À titre d’exemple, le transistor NPN est constitué d’une zone P très mince (appelée
communément la base) entourée de deux zones N larges (le collecteur et l’émetteur).
Le collecteur est moins dopé que la base qui est elle-même moins dopée que l’émetteur
(Fig. 23.1).
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“Gautron_9782100543007” (Col. : ScienceSup3-193x250) — 2010/6/15 — 17:13 — page 445 — #455
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PRÉALABLES
• Connaître les lois fondamentales de l’électricité.
• Maîtriser les unités du système international.
MOTS CLÉS
• Transistors NPN, PNP.
• Relations fondamentales, réseau de caractéristique, polarisation du transistor,
régime dynamique, amplification.
• Montages fondamentaux.
OBJECTIFS
• Caractériser le composant par son réseau de caractéristique.
• Déterminer le point de fonctionnement statique.
• Donner le schéma équivalent en régime dynamique.
• En déduire les principales caractéristiques dynamiques : gain, impédance d’entrée et de sortie.
23.1 INTRODUCTION
Le transistor bipolaire est un composant élaboré en 1948 par Bardeen, Brattain et
Schockley.
Il s’agit d’un composant constitué par la juxtaposition de deux jonctions PN soit
trois électrodes. Suivant la configuration de ces jonctions, on trouve les transistors NPN
ou PNP. Pour autant, son comportement ne peut être assimilé aussi simplement au
fonctionnement de deux diodes à jonctions PN montées en tête-bêche.
À titre d’exemple, le transistor NPN est constitué d’une zone P très mince (appelée
communément la base) entourée de deux zones N larges (le collecteur et l’émetteur).
Le collecteur est moins dopé que la base qui est elle-même moins dopée que l’émetteur
(Fig. 23.1).
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