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d. Exprimer le coefficient d’amplification en courant A i en notation complexe. Le calculer.
On appellera R o la résistance équivalente au circuit de sortie (R o = R u //R C //r).
e. Même question pour l’amplification en tension A v .
f. Même question pour l’amplification en puissance A p . Pour quelle valeur de R u cette
amplification est-elle maximum ?
g. Comment seraient modifiées les réponses précédentes si on ne considérait plus R B
comme infiniment grande ?
R 2
R 1
R C
V CC
Montage avec pont de base
On choisit R 1 = 1 kV et on rappelle que V BE = 0,6 V.
3. Polarisation du transistor : on désire toujours que
le point de fonctionnement se trouve au milieu de la
droite de charge.
a. Calculer les intensités des courants dans les différentes branches.
b. En déduire la valeur de R 2 .
4. Régime dynamique : le générateur d’attaque
G(e G , R G ) et la résistance de charge R u sont branchés
respectivement sur la base et le collecteur, ainsi que les deux condensateurs de découplage
C 1 et C 2 .
a. Schématiser le montage.
b. Donner son schéma équivalent pour l’alternatif.
c. En déduire les expressions de Z e , Z s , A i , A v et A p . Il est inutile de refaire les calculs si
l’on remarque qu’il suffit de remplacer R B par R 1 /(R 1 1 R 2 ) dans les expressions obtenues
à la question 2.g.
R 2
R E
R 1
R C
V CC
C E
Montage avec pont de base et résistance d’émetteur
découplée
La présence de R E permet de stabiliser plus aisément
le montage précédent. La présence de C E permet de
rester en montage émetteur commun. V CC = 10 V,
R C = 1 kV, R E = 100 V, R 1 = 1 kV.
5. Polarisation du transistor
On désire toujours que V CE = V CC /2 et V BE = 0, 6 V.
Calculer les intensités dans les différentes branches. En
déduire la valeur de R 2 .
6. Régime dynamique
On ajoute les dipôles G(e G , R G ), R u , C 1 et C 2 . À quel potentiel est porté l’émetteur pour
l’alternatif ? Qu’en conclure pour les différents coefficients d’amplification ?
4. ÉLECTRONIQUE
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d. Exprimer le coefficient d’amplification en courant A i en notation complexe. Le calculer.
On appellera R o la résistance équivalente au circuit de sortie (R o = R u //R C //r).
e. Même question pour l’amplification en tension A v .
f. Même question pour l’amplification en puissance A p . Pour quelle valeur de R u cette
amplification est-elle maximum ?
g. Comment seraient modifiées les réponses précédentes si on ne considérait plus R B
comme infiniment grande ?
R 2
R 1
R C
V CC
Montage avec pont de base
On choisit R 1 = 1 kV et on rappelle que V BE = 0,6 V.
3. Polarisation du transistor : on désire toujours que
le point de fonctionnement se trouve au milieu de la
droite de charge.
a. Calculer les intensités des courants dans les différentes branches.
b. En déduire la valeur de R 2 .
4. Régime dynamique : le générateur d’attaque
G(e G , R G ) et la résistance de charge R u sont branchés
respectivement sur la base et le collecteur, ainsi que les deux condensateurs de découplage
C 1 et C 2 .
a. Schématiser le montage.
b. Donner son schéma équivalent pour l’alternatif.
c. En déduire les expressions de Z e , Z s , A i , A v et A p . Il est inutile de refaire les calculs si
l’on remarque qu’il suffit de remplacer R B par R 1 /(R 1 1 R 2 ) dans les expressions obtenues
à la question 2.g.
R 2
R E
R 1
R C
V CC
C E
Montage avec pont de base et résistance d’émetteur
découplée
La présence de R E permet de stabiliser plus aisément
le montage précédent. La présence de C E permet de
rester en montage émetteur commun. V CC = 10 V,
R C = 1 kV, R E = 100 V, R 1 = 1 kV.
5. Polarisation du transistor
On désire toujours que V CE = V CC /2 et V BE = 0, 6 V.
Calculer les intensités dans les différentes branches. En
déduire la valeur de R 2 .
6. Régime dynamique
On ajoute les dipôles G(e G , R G ), R u , C 1 et C 2 . À quel potentiel est porté l’émetteur pour
l’alternatif ? Qu’en conclure pour les différents coefficients d’amplification ?
4. ÉLECTRONIQUE
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