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i
deux nœuds A et B s’écrit :
u AB =
n
k=1
g k e k
k
g k
où g k =
1
r k
1.6. Conseils d’utilisation
Tous ces théorèmes sont applicables aux régimes lentement variables, en substituant
l’impédance à la résistance, l’admittance à la conductance. S’il existe un dipôle non
linéaire, il faut l’isoler et appliquer l’un des théorèmes ci-dessus au reste du circuit.
Ces théorèmes (surtout ceux de Thévenin et de Norton) évitent l’analyse complète du
réseau si on a seulement besoin de renseignements relatifs à une branche déterminée.
On choisira de préférence le théorème de Norton pour des associations en parallèle et le
théorème de Thévenin pour des associations en série.
2. DIODES
2.1. Semi-conducteurs
bande de conduction (vide)
bande interdite
énergie
T = 0 K
E a
bande de valence (remplie)
• Semi-conducteur pur ou intrinsèque
Il est constitué d’atomes qui possèdent 4 électrons de
valence. Les plus couramment utilisés sont le silicium
et le germanium :
28
14 Si ou
64
32 Ge.
À T = 0 K, aucun électron n’occupe la bande de
conduction. Le semi-conducteur se comporte donc
comme un isolant parfait.
Exemple : l’énergie d’activation E a vaut 0,75 eV pour Ge et 1,12 eV pour Si (à comparer
avec E a ≈ 7 eV pour un isolant).
bande de conduction
bande interdite
énergie
T > 0 K
E a
bande de valence
t
e
–
Lorsque T > 0 K, les électrons acquièrent une énergie
cinétique E c . Si celle-ci devient supérieure à E a :
– les e
− sautent dans la bande de conduction et
deviennent des e
− libres ;
– ils laissent des trous qui peuvent se mouvoir dans
la bande de valence.
Il y a double conduction (e
− et trou).
4. ÉLECTRONIQUE
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