CHAPITRE 6 - MÉTHODES DE PRÉPARATION DES SURFACES
25 1
,--Échantillons
Source d’ions
Colonne
Quadrupoles
de focalisation
Plaques
de déviation
L [ - ] - L
200 kV
Fig. 6.5. lmplanteur a post-accélération
Dans la section 7.2 nous présentons u n implanteur économique sans séparation de masse et avec balayage mécanique de la surface ; ce procédé baptisé
<< incrustation ionique >> est bien adapté à la biomécanique, à la réalisation de cellules photovoltaïques ou a u traitement d‘outils.
Les éléments à implanter sont obtenus à partir d’un gaz simple (azote,
argon...), d’un composé gazeux (trifluorure de bore, BF,, arsine, ASH,, silane,
SiH 4...) ou de vapeurs métalliques obtenues à partir d’un creuset chauffé.
L’ionisation est réalisée au contact d’un filament chaud ou à partir d’une
décharge dans le gaz.
2.1.3. Applications
Les applications résultent directement des avantages de la méthode : indépendance vis-à-vis des coefficients de diffusion (possibilité d’obtenir des états hors
équilibre thermodynamique et de dépasser les limites de solubilité), conservation
des propriétés du substrat en dehors de la zone implantée, sans variation
dimensionnelle (possibilité de traiter des pièces terminées). Les surfaces implantées ne posent aucun problème d’adhérence contrairement à certaines couches
déposées ; réalisées sous vide propre, elles ne sont pas polluées.
Le procédé, largement appliqué aux semi-conducteurs, est potentiellement
applicable à tous les matériaux (métaux et alliages, céramiques, polymères), il
est très reproductible. En revanche, il est difficile de traiter des géométries complexes et des alésages : l’épaisseur de traitement est limitée par le parcours des
ions et la concentration l’est par la pulvérisation.
25 1
,--Échantillons
Source d’ions
Colonne
Quadrupoles
de focalisation
Plaques
de déviation
L [ - ] - L
200 kV
Fig. 6.5. lmplanteur a post-accélération
Dans la section 7.2 nous présentons u n implanteur économique sans séparation de masse et avec balayage mécanique de la surface ; ce procédé baptisé
<< incrustation ionique >> est bien adapté à la biomécanique, à la réalisation de cellules photovoltaïques ou a u traitement d‘outils.
Les éléments à implanter sont obtenus à partir d’un gaz simple (azote,
argon...), d’un composé gazeux (trifluorure de bore, BF,, arsine, ASH,, silane,
SiH 4...) ou de vapeurs métalliques obtenues à partir d’un creuset chauffé.
L’ionisation est réalisée au contact d’un filament chaud ou à partir d’une
décharge dans le gaz.
2.1.3. Applications
Les applications résultent directement des avantages de la méthode : indépendance vis-à-vis des coefficients de diffusion (possibilité d’obtenir des états hors
équilibre thermodynamique et de dépasser les limites de solubilité), conservation
des propriétés du substrat en dehors de la zone implantée, sans variation
dimensionnelle (possibilité de traiter des pièces terminées). Les surfaces implantées ne posent aucun problème d’adhérence contrairement à certaines couches
déposées ; réalisées sous vide propre, elles ne sont pas polluées.
Le procédé, largement appliqué aux semi-conducteurs, est potentiellement
applicable à tous les matériaux (métaux et alliages, céramiques, polymères), il
est très reproductible. En revanche, il est difficile de traiter des géométries complexes et des alésages : l’épaisseur de traitement est limitée par le parcours des
ions et la concentration l’est par la pulvérisation.