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A. CORNET et J.-P. DEVILLE
L a mesure des contraintes dans ces couches, par diffraction X, est possible,
l’intensité diffractée est faible et les pics sont larges,
les couches sont généralement texturées,
on connaît mal les paramètres cristallins de ces couches et leurs constantes
d’élasticité radiocristallographiques,
la contribution du substrat est importante et on a souvent des gradients de
contraintes.
L a mesure des contraintes dans les couches minces est un domaine en cours
de développement ; on y fait appel à des montages t y sous incidence rasante. On
peut aussi utiliser la diffraction d’électrons retrodiffuses ou EBSD (electron
backscattered dflraction).
malgré un certain nombre de difficultés :
4. Caractérisation structurale
4.1. Diffraction rasante et reflectometrie X
Au chapitre 4 (Sect. 1.2.4), nous avons présenté les propriétés optiques des
rayons X et montré qu’il existe un angle critique de réflexion totale ac pour lequel
une grande partie du faisceau est réfléchie alors que le reste est absorbé dans
une couche parallèle à la surface (ac est de l’ordre de quelques dizièmes de
degré). Cette couche a une très faible épaisseur, inférieure à 10 nm (alors que la
pénétration normale des rayons X usuels est de l’ordre d’une dizaine de pm) ;
par diffraction et fluorescence (Chap. 4) on obtient des informations précieuses
sur cette couche.
~l~~~~~~~~~~ Faisceaux réfléchis
Onde
I évanescente
. . . . . . . . . . . . . . . . .
Fig. 5.42. Diffraction et fluorescence X sous incidence rasante ; le rayonnement diffracté est forme
de faisceaux parallèles.
Comme nous l’avons indiqué, on peut faire varier l’angle d’incidence vers des
valeurs légèrement supérieures à aC (au maximum d’un rapport 2) et G explorer x
A. CORNET et J.-P. DEVILLE
L a mesure des contraintes dans ces couches, par diffraction X, est possible,
l’intensité diffractée est faible et les pics sont larges,
les couches sont généralement texturées,
on connaît mal les paramètres cristallins de ces couches et leurs constantes
d’élasticité radiocristallographiques,
la contribution du substrat est importante et on a souvent des gradients de
contraintes.
L a mesure des contraintes dans les couches minces est un domaine en cours
de développement ; on y fait appel à des montages t y sous incidence rasante. On
peut aussi utiliser la diffraction d’électrons retrodiffuses ou EBSD (electron
backscattered dflraction).
malgré un certain nombre de difficultés :
4. Caractérisation structurale
4.1. Diffraction rasante et reflectometrie X
Au chapitre 4 (Sect. 1.2.4), nous avons présenté les propriétés optiques des
rayons X et montré qu’il existe un angle critique de réflexion totale ac pour lequel
une grande partie du faisceau est réfléchie alors que le reste est absorbé dans
une couche parallèle à la surface (ac est de l’ordre de quelques dizièmes de
degré). Cette couche a une très faible épaisseur, inférieure à 10 nm (alors que la
pénétration normale des rayons X usuels est de l’ordre d’une dizaine de pm) ;
par diffraction et fluorescence (Chap. 4) on obtient des informations précieuses
sur cette couche.
~l~~~~~~~~~~ Faisceaux réfléchis
Onde
I évanescente
. . . . . . . . . . . . . . . . .
Fig. 5.42. Diffraction et fluorescence X sous incidence rasante ; le rayonnement diffracté est forme
de faisceaux parallèles.
Comme nous l’avons indiqué, on peut faire varier l’angle d’incidence vers des
valeurs légèrement supérieures à aC (au maximum d’un rapport 2) et G explorer x