L 'effet photoréfractif
295
1
10
1 O0
1000
Fréquence en Hz
Figure 16 : Évolution du gain photoréfractif en fonction de la fréquence du champ électrique appliqué au cristal.
5.3.3.4 Mise en évidence du réseau de charees libres et mesure de la mobilité
Pour certains échantillons, et en se plaçant à des fréquences suffisamment élevées pour
atteindre le plateau, on note que l'intensité du faisceau amplifié oscille légèrement à chaque
commutation _+Eo du champ électrique (voir figure 17). Cette oscillation du champ de charge
d'espace se comprend bien si l'on se rappelle que le réseau photoréfractif résulte de la
superposition dun réseau E, " dû aux charges libres (électrons dans la bande de conduction)
et d'un réseau dans les centres profonds E? (équation (2.73)). En régime stationnaire ou
lorsque le champ électrique externe est constant, la contribution du réseau d'électrons est
négligeable devant celle du réseau de centres profonds. Ce n'est plus valable lorsque celui-ci
varie temporellement. Une modification brutale du signe du champ électrique appliqué
entraîne le réseau de charges libres avec une vitesse pEo tandis que le réseau dans les centres
profonds reste immobile. Le battement entre ces deux réseaux fait osciller le champ de charge
d'espace et donc le gain de couplage d'ondes à la fréquence pE,,/A ( A/pE,, est le temps
requis pour que le réseau de charges libres se déplace dune frange à une autre).
Y
c
.L3 $ 0
O
1
2
3
4
Temps (m)
Figure 17 : Évolution temporelle du signal amplifié par la technique d'intensification par champ électrique
"créneau".
Cette interprétation est confirmée par l'équation (2.77) d'évolution du réseau d'électrons
que nous avons trouvé dans le chapitre 2. L'évolution temporelle est régie par deux constantes
de temps z+ et 2. En choisissant une illumination faible, la constante de temps T- qui est
proportionnelle à 1/Z est grande devant z+ et nous avions trouvé :
295
1
10
1 O0
1000
Fréquence en Hz
Figure 16 : Évolution du gain photoréfractif en fonction de la fréquence du champ électrique appliqué au cristal.
5.3.3.4 Mise en évidence du réseau de charees libres et mesure de la mobilité
Pour certains échantillons, et en se plaçant à des fréquences suffisamment élevées pour
atteindre le plateau, on note que l'intensité du faisceau amplifié oscille légèrement à chaque
commutation _+Eo du champ électrique (voir figure 17). Cette oscillation du champ de charge
d'espace se comprend bien si l'on se rappelle que le réseau photoréfractif résulte de la
superposition dun réseau E, " dû aux charges libres (électrons dans la bande de conduction)
et d'un réseau dans les centres profonds E? (équation (2.73)). En régime stationnaire ou
lorsque le champ électrique externe est constant, la contribution du réseau d'électrons est
négligeable devant celle du réseau de centres profonds. Ce n'est plus valable lorsque celui-ci
varie temporellement. Une modification brutale du signe du champ électrique appliqué
entraîne le réseau de charges libres avec une vitesse pEo tandis que le réseau dans les centres
profonds reste immobile. Le battement entre ces deux réseaux fait osciller le champ de charge
d'espace et donc le gain de couplage d'ondes à la fréquence pE,,/A ( A/pE,, est le temps
requis pour que le réseau de charges libres se déplace dune frange à une autre).
Y
c
.L3 $ 0
O
1
2
3
4
Temps (m)
Figure 17 : Évolution temporelle du signal amplifié par la technique d'intensification par champ électrique
"créneau".
Cette interprétation est confirmée par l'équation (2.77) d'évolution du réseau d'électrons
que nous avons trouvé dans le chapitre 2. L'évolution temporelle est régie par deux constantes
de temps z+ et 2. En choisissant une illumination faible, la constante de temps T- qui est
proportionnelle à 1/Z est grande devant z+ et nous avions trouvé :