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R. Planel
maintenir l’équilibre, sur une profondeur dépendant du dopage. C’est la couche désertée,
ou zone de charge d’espace.
Pour estimer sa profondeur, et le champ électrique qui y règne, plaçons nous dans
l’approximation la plus simple : la densité de charge est pour l’essentiel celle des donneurs
a)
Couche n
Substrat p
BC
C)
2
V
métal
semiconducteur
Figure 1.3 : a) Schéma dun MES FET. On distingue la source S et le drain D reliés par le canai C, qui passe
sous la grille G . b) Profil de bande en fonction de la profondeur z à VG= O : la région n conduit. c) Profil de
bande à VG< O : la région n est désertée.
ionisés : p = +eNd . En intégrant deux fois l’équation de Poisson, la chute de potentiel dans la
zone désertée est donc une fonction quadratique de la profondeur z :
V = (+eN$/ 22x0) (z - zo)2où la profondeur de la couche désertée est zo. On en déduit :
zo = ( ~ V ~ E E O
/eNd)1/2
(1.1)