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Analyse et technologie des surfaces
10 –4
10 –6
10 –8
10 –10
10 –12
10 –3
1
1 0 +3
10 4
10 2
10 0
10 –2
10 –4
d = 1 cm
d = 1 µm
d = 1 mm
d = 100 µm
d = 10 µm
10 –9
10 –6
10 –3
i p [A/cm 2 ]
I
p [A]
sensibilité de détection (ppm d’une monocouche)
couche atomique décapée /s
Fig. 5.3 Interdépendance entre le courant primaire I p , la densité de courant primaire i p , la sensibilité
de détection, le diamètre du spot d’analyse d et le taux de décapage pendant l’analyse. La zone du
SSIMS est hachurée avec une vitesse de décapage inférieure à 0,1 % d’une monocouche décapée /s.
(1 monocouche correspond à environ 10 15 ions/cm 2 ).
Fig. 5.4 Schéma de principe d’un instrument SIMS.
source
ions
primaires
ions
secondaires
échantillon
spectromètre
de masse
détecteur
spectre
de masse
profil
image