Revêtements à partir d’une phase gazeuse (PVD/CVD)
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Ces relations nous permettent de calculer le flux de matière qui traverse une
surface A en régime moléculaire et qui est donné par l’équation de Hertz-Knudsen
pour le taux d’évaporation:
(15.26)
La figure 15.3 donne le libre parcours moyen pour différents gaz en fonction de
la pression.
15.5.2 Transport pour les procédés vide poussé
Sous les conditions de l’écoulement moléculaire, un atome évaporé ne rencontrera donc pas d’autre atome sur son parcours. La condensation homogène est
négligeable. On peut donc présenter le PVD schématiquement comme suit (fig.
15.4).
Pour une source de vapeur ponctuelle, la vitesse de déposition diminuera
avec le carré de la distance de la surface et avec cosθ. Ce qui nous donne pour le
flux I, qui arrive au point R, θ, φ si une source ponctuelle émet un flux I 0 au point
(0,0,0):
(15.27)
∆N
A∆t
--------- -
α p s p
–
(
)
2πM i kT
------------------------ -
=
I r θ ϕ
, ,
(
)
I 0
θ
cos
R 2
----------- -
=
Fig. 15.4 Flux de matière émanant d’un creuset en régime moléculaire.
pièce à revêtir
flux de vapeur
fonte
creuset
θ