Traitements par diffusion
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Cette dernière condition n’est apparue qu’avec le passage à des dimensions
sousmicroniques qui ont vu le remplacement du silicium dégénéré polycristallin par
les siliciures.
Le procédé consiste en un dépôt d’une couche mince d’un métal approprié. En
l’occurrence le cobalt, le nickel ou le titane déposés par PVD ou CVD (chap. 15)
sur la zone de contact qui est entourée de couches de silice isolantes. On a le choix
entre un PVD, qui couvre toute la surface, suivie d’une délimitation par photolithographie ou d’un procédé CVD sélectif (dépôt limité aux surfaces de silicium). La
n +
n +
source
drain
grille
canal
p
L
Oxyde (LOCOS)
Oxyde (grille)
B
A
Fig. 12.5 Structure d’un n-MOSFET. La densité d’électron dans le canal et donc sa conductivité sont
modulées par la tension appliquée sur la grille.
Fig. 12.6 Contact de saliciure de cobalt sur le gate d’un MOSFET réalisé par implantation ionique
suivi de différents recuits: distribution du cobalt.
10 22
10 17
10 18
10 19
10 20
10 21
0
0,05
0,1
0,15
T B –50°C/15 sec
brut
T B –150°C/15 sec
T B –200°C/15 sec
T B –250°C/15 sec
CoSi 2 /Si interface
profondeur [µm]
concentration [cm –3
]
d’implantation