Profils en profondeur
101
Le rayon de pénétration augmente avec l’énergie. De plus, le mixage atomique
et la pulvérisation sont influencés par l’énergie. En conséquence, l’ion primaire
avec une certaine énergie ne provoque pas seulement le décapage des ions secondaires mais change aussi la composition de la couche analysée. Toutefois, après le
transfert de l’énergie primaire à un ou plusieurs atomes de la matrice, l’ion primaire
reste implanté. En général, on choisit des énergies faibles comprises entre 0,5 et
3 keV pour obtenir la meilleure résolution en profondeur avec un minimum de
mixage. Autrement, si l’on veut augmenter le rendement de décapage et l’intensité
des ions secondaires, on utilise des énergies > 2 keV (à comparer avec fig. 6.3) permettant de diminuer le temps d’acquisition.
Pour obtenir une meilleure focalisation, on doit travailler avec des énergies primaires comprises entre 8 et 25 keV. La focalisation n’est pas seulement importante
pour la résolution latérale, mais aussi pour obtenir une zone de bombardement uniforme. Comme le montre la figure 6.6, une zone de décapage uniforme est importante pour éviter l’influence du bord du cratère, d’autant plus si les ions primaires
n’arrivent pas perpendiculairement à la surface. De plus, si le diamètre du faisceau
d’ions primaires n’est pas petit par rapport au diamètre du cratère de pulvérisation,
on obtient des bords de cratère arrondis. Ceci se traduit par une perte de résolution
en profondeur. Pour minimiser cet effet, on utilise un système de sélection qui
Fig. 6.5 Micrographies optiques d’un échantillon de nickel couvert d’une couche d’Or – l’échantillon a été décapé par des ions Ar + de 1 keV à différentes profondeurs : (a) 15 nm, (b) 120 nm et (c)
480 nm.
100 nm
a
b
c
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Le rayon de pénétration augmente avec l’énergie. De plus, le mixage atomique
et la pulvérisation sont influencés par l’énergie. En conséquence, l’ion primaire
avec une certaine énergie ne provoque pas seulement le décapage des ions secondaires mais change aussi la composition de la couche analysée. Toutefois, après le
transfert de l’énergie primaire à un ou plusieurs atomes de la matrice, l’ion primaire
reste implanté. En général, on choisit des énergies faibles comprises entre 0,5 et
3 keV pour obtenir la meilleure résolution en profondeur avec un minimum de
mixage. Autrement, si l’on veut augmenter le rendement de décapage et l’intensité
des ions secondaires, on utilise des énergies > 2 keV (à comparer avec fig. 6.3) permettant de diminuer le temps d’acquisition.
Pour obtenir une meilleure focalisation, on doit travailler avec des énergies primaires comprises entre 8 et 25 keV. La focalisation n’est pas seulement importante
pour la résolution latérale, mais aussi pour obtenir une zone de bombardement uniforme. Comme le montre la figure 6.6, une zone de décapage uniforme est importante pour éviter l’influence du bord du cratère, d’autant plus si les ions primaires
n’arrivent pas perpendiculairement à la surface. De plus, si le diamètre du faisceau
d’ions primaires n’est pas petit par rapport au diamètre du cratère de pulvérisation,
on obtient des bords de cratère arrondis. Ceci se traduit par une perte de résolution
en profondeur. Pour minimiser cet effet, on utilise un système de sélection qui
Fig. 6.5 Micrographies optiques d’un échantillon de nickel couvert d’une couche d’Or – l’échantillon a été décapé par des ions Ar + de 1 keV à différentes profondeurs : (a) 15 nm, (b) 120 nm et (c)
480 nm.
100 nm
a
b
c