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Physique des systèmes complexes
électronique, des contrastes sur les clichés en microscopie électronique révélant
l'existence des lignes de dislocation et permettant d'identifier leur vecteur de
Bürgers b.
3.2.1. Définition
Pour créer une dislocation cristalline :
- Réalisons un demi-plan de coupure (perpendiculaire au plan de la figure) représenté en coupe par le segment AB (figure 19a).
- Déplaçons tous les atomes situés sous le demi plan de coupure d'un intervalle
cristallin et reconstituons les liaisons entre atomes comme le montre la figure b.
Le résultat obtenu est équivalent à l'insertion d'un demi-plan atomique symbolisé
par les atomes de couleur sombre. De cette façon, nous avons fabriqué une dislocation coin.
Lorsque sous l'effet d'une contrainte, nous souhaitons cisailler le matériau, au
lieu de couper les liaisons entre tous les atomes situés de part et d'autre du plan de
cisaillement, il est possible d'envisager simplement la rupture des liaisons atomiques entre les atomes du plan situé à droite de la dislocation coin (figure c), puis
de reconstituer les liaisons pendantes entre les atomes de gauche comme l'illustre
la figure d.
De cette façon tout se passe comme si la dislocation avait glissé d'une distance b
vers la droite. En répétant ce mécanisme, on voit que le cristal sera totalement
cisaillé lorsque la dislocation sortira à droite du cristal. De ce fait, les contraintes
nécessaires à ce mécanisme sont beaucoup moins élevées que celles qui correspondent à la rupture de toutes les liaisons entre atomes situés de part et d'autre du
plan de glissement et correspondent mieux aux valeurs expérimentales.
0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0 0 0
A()- -0 -o--0 BO 0 0 0
0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0 0 0
a
b
c
d
Figure 19. Création et glissement d'une dislocation.
Physique des systèmes complexes
électronique, des contrastes sur les clichés en microscopie électronique révélant
l'existence des lignes de dislocation et permettant d'identifier leur vecteur de
Bürgers b.
3.2.1. Définition
Pour créer une dislocation cristalline :
- Réalisons un demi-plan de coupure (perpendiculaire au plan de la figure) représenté en coupe par le segment AB (figure 19a).
- Déplaçons tous les atomes situés sous le demi plan de coupure d'un intervalle
cristallin et reconstituons les liaisons entre atomes comme le montre la figure b.
Le résultat obtenu est équivalent à l'insertion d'un demi-plan atomique symbolisé
par les atomes de couleur sombre. De cette façon, nous avons fabriqué une dislocation coin.
Lorsque sous l'effet d'une contrainte, nous souhaitons cisailler le matériau, au
lieu de couper les liaisons entre tous les atomes situés de part et d'autre du plan de
cisaillement, il est possible d'envisager simplement la rupture des liaisons atomiques entre les atomes du plan situé à droite de la dislocation coin (figure c), puis
de reconstituer les liaisons pendantes entre les atomes de gauche comme l'illustre
la figure d.
De cette façon tout se passe comme si la dislocation avait glissé d'une distance b
vers la droite. En répétant ce mécanisme, on voit que le cristal sera totalement
cisaillé lorsque la dislocation sortira à droite du cristal. De ce fait, les contraintes
nécessaires à ce mécanisme sont beaucoup moins élevées que celles qui correspondent à la rupture de toutes les liaisons entre atomes situés de part et d'autre du
plan de glissement et correspondent mieux aux valeurs expérimentales.
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A()- -0 -o--0 BO 0 0 0
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a
b
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Figure 19. Création et glissement d'une dislocation.