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Chapitre 1 : Proprietes atomiques et moleculaires des elements
champ electrostatique des ligands. Pour maintenir la moyenne energetique egale a zero, on doit done attribuer une energie de -4 D q a
chacune des trois orbitales t 2g et + 6 D q a chacune des deux orbitales e g .
Nous avons compare, sur cette figure, les deux methodes (OM et champ
cristallin). Dans les deux cas, 1'ecart energetique entre les orbitales t 2g
et e g est le meme et egal a A 0 = 10 Dq = 3e a .
2 Energie de stabilisation du champ cristallin (ESCC)
Comme dans la methode des OM, les electrons vont occuper les
orbitales d'energies les plus basses. Ainsi, dans le cas d'un complexe d
1
,
1'electron va occuper 1'orbitale t 2g dont 1'energie est plus basse de -4 Dq
par rapport au cation libre. On dit que 1'energie de stabilisation du
champ cristallin est ESCC = -4 Dq. Dans le cas de complexes d
2 et d
3
, on
a respectivement :
A partir de d
4 se repose le probleme de la valeur de A 0 par rapport a
1'energie de formation d'une paire electronique a spins antiparalleles P.
a) Si A 0 < P, la repartition electronique est (t 2g )
3 (e g )l. On dit que 1'on
est en champ faible et 1'energie de stabilisation est:
b) Si A 0 > P, la repartition electronique est (t 2g )
4
(e g )°. On dit que Ton est
en champ fort. L'energie de stabilisation est alors :
Etant donne qu'il faut, dans la plupart des cas, comparer le comportement du complexe suivant qu'il s'agit d'un champ faible ou d'un
champ fort, on ne s'interesse qu'aux nombres de paires electroniques relatives a un meme cation. La reference est la situation de 1'ion libre.
Ainsi, dans le cas de d
6
, on ecrira :
On a reuni, dans le tableau 1.18, les energies de stabilisation en
champ fort et en champ faible, en fonction du nombre n d'electrons d de
1'element de transition.
Chapitre 1 : Proprietes atomiques et moleculaires des elements
champ electrostatique des ligands. Pour maintenir la moyenne energetique egale a zero, on doit done attribuer une energie de -4 D q a
chacune des trois orbitales t 2g et + 6 D q a chacune des deux orbitales e g .
Nous avons compare, sur cette figure, les deux methodes (OM et champ
cristallin). Dans les deux cas, 1'ecart energetique entre les orbitales t 2g
et e g est le meme et egal a A 0 = 10 Dq = 3e a .
2 Energie de stabilisation du champ cristallin (ESCC)
Comme dans la methode des OM, les electrons vont occuper les
orbitales d'energies les plus basses. Ainsi, dans le cas d'un complexe d
1
,
1'electron va occuper 1'orbitale t 2g dont 1'energie est plus basse de -4 Dq
par rapport au cation libre. On dit que 1'energie de stabilisation du
champ cristallin est ESCC = -4 Dq. Dans le cas de complexes d
2 et d
3
, on
a respectivement :
A partir de d
4 se repose le probleme de la valeur de A 0 par rapport a
1'energie de formation d'une paire electronique a spins antiparalleles P.
a) Si A 0 < P, la repartition electronique est (t 2g )
3 (e g )l. On dit que 1'on
est en champ faible et 1'energie de stabilisation est:
b) Si A 0 > P, la repartition electronique est (t 2g )
4
(e g )°. On dit que Ton est
en champ fort. L'energie de stabilisation est alors :
Etant donne qu'il faut, dans la plupart des cas, comparer le comportement du complexe suivant qu'il s'agit d'un champ faible ou d'un
champ fort, on ne s'interesse qu'aux nombres de paires electroniques relatives a un meme cation. La reference est la situation de 1'ion libre.
Ainsi, dans le cas de d
6
, on ecrira :
On a reuni, dans le tableau 1.18, les energies de stabilisation en
champ fort et en champ faible, en fonction du nombre n d'electrons d de
1'element de transition.