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Chapitre 1 : Proprietes atomiques et moleculaires des elements
ligands. Cela signifie que les electrons du metal vont aller occuper les
niveaux d'energies superieures, c'est-a-dire t 2g et 2 e|.
Pour re'partir les Electrons provenant du mental de transition, nous
ne nous inMresseroiis qu'aux OM t^ et 2ef. Cette derniere
est wne OM antiliante et c'est la LUMO de la figure 1.26. La
difference energetique entre ces deux OM est un parametre
fondamental des complexes de metaux de transition ; elle
s*eerit : A^s*10 Dq. Cette derniere expression a 4te" introduite par les
spectroscopistes.
En fait, la repartition des electrons sur les OM va dependre de deux
facteurs :
a) les electrons ont une energie plus basse si leurs spins sont paralleles ;
b) les electrons occupent les orbitales de plus basse energie.
Ainsi, de 1 a 3 electrons, ces derniers vont aller occuper 1'OM t 2g (cas
de Ti
3+ ,V
3+ ,V
2+ ,Cr
3+ ). Mais, a partir de 4 electrons, nous avons deux
possibilites, schematisees sur la figure 1.27. L'occupation des OM va
dependre de A 0 et de 1'energie de formation d'une paire electronique a
spins antiparalleles P. Dans le cas a), le fait de mettre le quatrieme
electron sur 1'orbitale e g necessite 1'energie A 0 (A 0 < P) tandis que dans
le cas b), ce positionnement du quatrieme electron sur t 2g necessite
moins d'energie que pour aller le placer sur 1'OM superieure (A 0 > P).
Etats haut spin et has spin, selon les valeurs relatives de A 0 et P.
FlG. 1.27 - Distribution des electrons dans le cas d'un atome d
4
, suivant les
valeurs de A 0 et de 1'energie de formation d'une paire electronique P.
Chapitre 1 : Proprietes atomiques et moleculaires des elements
ligands. Cela signifie que les electrons du metal vont aller occuper les
niveaux d'energies superieures, c'est-a-dire t 2g et 2 e|.
Pour re'partir les Electrons provenant du mental de transition, nous
ne nous inMresseroiis qu'aux OM t^ et 2ef. Cette derniere
est wne OM antiliante et c'est la LUMO de la figure 1.26. La
difference energetique entre ces deux OM est un parametre
fondamental des complexes de metaux de transition ; elle
s*eerit : A^s*10 Dq. Cette derniere expression a 4te" introduite par les
spectroscopistes.
En fait, la repartition des electrons sur les OM va dependre de deux
facteurs :
a) les electrons ont une energie plus basse si leurs spins sont paralleles ;
b) les electrons occupent les orbitales de plus basse energie.
Ainsi, de 1 a 3 electrons, ces derniers vont aller occuper 1'OM t 2g (cas
de Ti
3+ ,V
3+ ,V
2+ ,Cr
3+ ). Mais, a partir de 4 electrons, nous avons deux
possibilites, schematisees sur la figure 1.27. L'occupation des OM va
dependre de A 0 et de 1'energie de formation d'une paire electronique a
spins antiparalleles P. Dans le cas a), le fait de mettre le quatrieme
electron sur 1'orbitale e g necessite 1'energie A 0 (A 0 < P) tandis que dans
le cas b), ce positionnement du quatrieme electron sur t 2g necessite
moins d'energie que pour aller le placer sur 1'OM superieure (A 0 > P).
Etats haut spin et has spin, selon les valeurs relatives de A 0 et P.
FlG. 1.27 - Distribution des electrons dans le cas d'un atome d
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, suivant les
valeurs de A 0 et de 1'energie de formation d'une paire electronique P.