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Chapitre 14 : Pouvoir thermoelectrique
d'autre part, le rapport k/e, multiplie par le coefficient 2,303 pour
passer des log neperiens aux log decimaux, est egal a 189. D'ou la
formule « pratique » :
14.3 Exemples
1 Semi-conducteur de type n. L'arseniure
de gallium dope
L'arseniure de gallium est un semi-conducteur possedant un gap de
1,4 eV et dont les electrons ont une grande mobilite (8 500 cm^V^-s"
1
a 300 K). Pour augmenter la quantite de porteurs, par exemple des electrons, il suffit de le doper par differents elements donneurs tels que P
ou As. On obtient un semi-conducteur de type n. Le coefficient Seebeck
est alors simplement represente par la formule 14.8, ou N c est la densite d'etat effective de GaAs, independante de la concentration en porteurs (masse effective constante). On a represente, sur la figure 14.4,
1'evolution de a s en fonction de la concentration en element donneur. On
FlG. 14.4 - Evolution, a 300 K, du coefficient Seebeck de 1'arseniure de gallium
GaAs en fonction du Logarithme de la concentration des porteurs electroniques.
Chapitre 14 : Pouvoir thermoelectrique
d'autre part, le rapport k/e, multiplie par le coefficient 2,303 pour
passer des log neperiens aux log decimaux, est egal a 189. D'ou la
formule « pratique » :
14.3 Exemples
1 Semi-conducteur de type n. L'arseniure
de gallium dope
L'arseniure de gallium est un semi-conducteur possedant un gap de
1,4 eV et dont les electrons ont une grande mobilite (8 500 cm^V^-s"
1
a 300 K). Pour augmenter la quantite de porteurs, par exemple des electrons, il suffit de le doper par differents elements donneurs tels que P
ou As. On obtient un semi-conducteur de type n. Le coefficient Seebeck
est alors simplement represente par la formule 14.8, ou N c est la densite d'etat effective de GaAs, independante de la concentration en porteurs (masse effective constante). On a represente, sur la figure 14.4,
1'evolution de a s en fonction de la concentration en element donneur. On
FlG. 14.4 - Evolution, a 300 K, du coefficient Seebeck de 1'arseniure de gallium
GaAs en fonction du Logarithme de la concentration des porteurs electroniques.
