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Chapitre 14 : Pouvoir thermoelectrique
On pose : - ^ = A, d'ou 1'expression de a pour un semi-conducteur
de type n a large bande :
Le terme constant kA/e est au maximum egal a 10/^V. Si le semiconducteur est dope p, 1'expression du pouvoir thermoelectrique devient:
N v est la densite d'etat effective en haut de la bande de valence. Le
pouvoir thermoelectrique ne depend pas de la mobilite des porteurs de
charge, mais eventuellement de la temperature. Par contre, il depend
beaucoup de la concentration en porteurs qui peut lui faire changer de
signe. Dans le cas d'un semi-conducteur non dope, dans lequel la formation des paires electron-trou a pour origine I'ionisation intrinseque, le
coefficient Seebeck a pour expression :
ou a e et <7 e sont le coefficient Seebeck et la conductivite des electrons ;
a h et OH sont le coefficient Seebeck et la conductivite des trous, cr etant la
conductivite totale.
14.2 Composes contenant deux elements
d'electronegativites differentes
1 Composes a electrons itinerants (composes
a bande large)
Le traitement est le meme que celui des semi-conducteurs dopes n ou p.
On constate que, d'apres cette formule, le coefficient Seebeck diminue
lorsque le nombre d'electrons augmente.