Chimie des solides
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FlG. 9.10-Role de la position du niveau donneur dans la bande interdite. Si le
niveau est proche de la bande de conduction, les electrons sont expulses dans la
bande de conduction des les basses temperatures.
valeurs de E c - E D . On voit que, si E c - E D est egal a 0,01 eV, les
defauts sont pratiquement tous ionises a la temperature ambiante et
les electrons sont dans la bande de conduction. Le compose est conducteur. Par centre, si E c - E D est egal a 0,2 eV, il faut atteindre des
temperatures elevees pour que les defauts soient ionises. Le dopage du
silicium par le phosphore, Farsenic ou l'antimoine, elements a 5 electrons de valence, conduit a 1'apparition de niveaux situes a 0,01 eV en
dessous de la bande de conduction du silicium. L'electron supplementaire de Felement dopant est ionise des les plus basses temperatures.
Le silicium est ainsi dope n.
b) Cas des lacunes d'oxygene dans les oxydes
Dans le cas des lacunes d'oxygene, la situation est plus compliquee. II
y a deux etats d'ionisation, done deux niveaux d'energies E dl et E d2 . Le
premier etat, d'energie la plus proche de la bande de conduction, correspond a la reaction :