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Chapitre 9 : Energies de formation et d'ionisation des defauts
FlG. 9.9 — Influence des positions respectives de I'energie de Fermi E F et de
I'energie du niveau donneur E d sur I'ionisation des defauts donneurs. Si E F < E d ,
les defauts sont ionises (domaine a). Si E F > E d , les defauts piegent les electrons
(domaine c).
done
[D
x ] » [D*] (domaine c de la figure 9.9)
Les electrons sont maintenant localises sur les defauts.
Si Ton compare I'ionisation intrinseque et I'ionisation des defauts,
on voit que, dans le premier cas, les electrons sont expulses de la
bande de valence. Cette excitation necessite I'energie E g qui peut
atteindre plusieurs electron-volts. Dans le deuxieme cas, les electrons
proviennent de niveaux proches de la bande de conduction ce qui n'exige que des energies de quelques dixiemes d'eV. Le taux d'occupation
de la bande de conduction depend directement de la difference entre
I'energie des niveaux donneurs et E c . On a represente, sur la figure
9.10, 1'evolution de log n/N c en fonction de la temperature, pour deux