Chapitre 23 • Le transistor bipolaire
Exercice
Les solutions sont regroupées p. 621.
23.1 Études statique et dynamique d’un montage amplificateur
Soit le montage amplificateur de la figure 23.10. On donne pour ce montage :
V CC = 10 volts, I C0 = 2 mA, V CE0 = 5 volts, R B = 397 kV, R C = 1,8 kV et R E = 680 V.
La capacité C D joue le rôle d’un court-circuit parfait en régime sinusoïdal tandis que
les deux capacités de liaison C L isolent la composante continue de la composante
sinusoïdale.
C
R
R
B
V CC
R E
v e (t)
v s (t)
C L
C L
C D
Figure 23.10
Notons que la mise en court-circuit de la résistance R E en régime dynamique conduit
à un montage particulier du transistor communément dénommé montage à émetteur
commun.
On demande :
a) de déterminer et de représenter les expressions des droites de charge statique et
dynamique ;
b) d’en déduire l’amplitude maximale de la tension de sortie ;
c) le gain en tension A v du montage.
23.2 Analyse d’un montage amplificateur
Le schéma de l’amplificateur à transistor est représenté figure 23.11. On donne pour ce
montage les éléments suivants :
V CC = 15 V, V BE = 0,7 V, R 1 = 68 kV, R 2 = 12 kV, R C = 4,7 kV,
R E = 1 kV, R L = 10 kV, h 21 = b = 100, h 11 = 1 870 V.
Les capacités de liaisons C L sont assimilées à des courts-circuits à la fréquence de
travail.
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“Gautron_9782100543007” (Col. : ScienceSup3-193x250) — 2010/6/15 — 17:13 — page 456 — #466
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