168 Chap. 7. Ondes électromagnétiques et matière
Le diélectrique entre lesplaques adonc fait diminuer le champ électrique D U / d .La
capacité C 2 varie suivant lesmatériaux isolants, mais est toujoursproportionnelle à
C 1 ,lacapacité du condensateur «vide»:
C 2 = z C 1 .
+ Q
− Q
+ Q
− Q
Δ U 1
Δ U 2
C 2
C 1
vide
diélectriqu e
d
+++++++++
--------+++++++++
--------Figure 7.4 Expérience de Faradays ur lescondensateurs.
Sous l’effet de la différencedepotentiel, lescharges s’accumulent sur lesplaques. Si
on note S la surface des plaques, la densité surfacique de charges sur chaque plaque
est
s = ±
Q
S
.
On peut relierl ac harge totale Q àl ad ifférenced ep otentiele nu tilisantl al oi de
Gauss(6.15).Enchoisissant une surface fermée de formeparallélépipédique de section S et d’épaisseur d ( figure7.5), on peut écrire
div
E =
r c
´ 0
=
1
´ 0
Q
d S
.
+ Q
S
E
δ
z
+++++++++++++++
Figure 7.5 Surfaced eGauss utilisée pour calculerlacapacitéd ucondensateur.
Le diélectrique entre lesplaques adonc fait diminuer le champ électrique D U / d .La
capacité C 2 varie suivant lesmatériaux isolants, mais est toujoursproportionnelle à
C 1 ,lacapacité du condensateur «vide»:
C 2 = z C 1 .
+ Q
− Q
+ Q
− Q
Δ U 1
Δ U 2
C 2
C 1
vide
diélectriqu e
d
+++++++++
--------+++++++++
--------Figure 7.4 Expérience de Faradays ur lescondensateurs.
Sous l’effet de la différencedepotentiel, lescharges s’accumulent sur lesplaques. Si
on note S la surface des plaques, la densité surfacique de charges sur chaque plaque
est
s = ±
Q
S
.
On peut relierl ac harge totale Q àl ad ifférenced ep otentiele nu tilisantl al oi de
Gauss(6.15).Enchoisissant une surface fermée de formeparallélépipédique de section S et d’épaisseur d ( figure7.5), on peut écrire
div
E =
r c
´ 0
=
1
´ 0
Q
d S
.
+ Q
S
E
δ
z
+++++++++++++++
Figure 7.5 Surfaced eGauss utilisée pour calculerlacapacitéd ucondensateur.