i
i
i
i
i
i
i
i
Remarque : il peut y avoir phénomène d’avalanche quand eV > E a ⇒ réactions en
chaîne du phénomène de diffusion des porteurs majoritaires sous l’effet du champ
extérieur :
– dans le cas d’une diode normale, ce phénomène peut entraîner la destruction du
cristal ⇒ il faut donc limiter la tension V dans le sens bloqué ;
– dans le cas d’une diode Zener, ce phénomène est mis à profit pour obtenir des
alimentations stabilisées.
2.3. Caractéristiques d’une diode (convention récepteur)
• Diode réelle
i
u
V seuil
I s
P
H
bloqué
passant
0
On retrouve la loi exponentielle décrite
précédemment dans le sens passant et un
courant constant et très faible dans le sens
bloqué. On définit la résistance statique :
R =
1
pente de OP
et la résistance dynamique :
R d =
1
pente de HP
La résistance dans le sens passant R d est de quelques V ; la résistance dans le sens bloqué
tend vers infinie ; le courant inverse I s est constant et vaut quelques mA et la tension seuil
V seuil = V D = 0, 2 V pour Ge et 0,6 V pour Si.
• Modélisation
i
u
V s
R d
limite
d'échauffement
limite de
claquage
À partir de ces caractéristiques, une diode
est modélisée par l’équation de la caractéristique pour u > V s qui s’écrit :
u = V s 1 R d i
K
A
i d
V s
R d
u
La diode peut dans ce cas être représentée
par le schéma équivalent ci-contre.
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