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A. CORNET et J.-P. DEVILLE
5
Charge en mN
6
( ‘
)
Fissure dans
R
150
O
200
400
600
800
O
50
1 O0
Profondeur indentée en nrn
Profondeur indentée en nm
0 4 ’
Charge en rnN
5 1
I
:
O
1 O0
200
300
O
500
1 O00 1500 2000 2500
Profondeur indentée en nrn
Profondeur indentée en nrn
Fig. 2.45. Indentation d’une couche de carbure d’azote déposée sur un substrat de silicium. En
(a) : indentation (c normale )>. En (b) : on observe que la pointe de I’indenteur a (( coupé )) le film en
le repoussant et l’on a indenté seulement le silicium. En (c) : on observe l’apparition d’une fissure
dans l’épaisseur du film, et en (d) : on a la formation d’une fissure dans le film (l), comme dans le
cas précédent (rupture cohésive), suivie par la formation de fissures (2) a l’interface (delamination),
(H. Pelletier, ENSAIS-LMCM).