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A. CORNET e t J.-P. DEVILLE
Actuellement, on utilise essentiellement ses propriétés de très grande dureté
(50 à 100 GPa selon les plans). En outre, le diamant a une température de fusion
élevée (4 O 0 0 OC), une conductivité thermique exceptionnelle (20 W.cm-’.K-l),
une faible dilatation thermique ( 1 . 1 x
K-l), une large bande interdite (gap)
électronique (5,45 eV à comparer à 1.1 eV pour le silicium), une grande transparence optique dans u n domaine allant du proche ultra-violet à l’infrarouge, une
tension de claquage importante (10 MV.cm-’, trente fois supérieure à celle du
silicium). C’est donc un matériau semi-conducteur d‘avenir, notamment pour les
amplificateurs de puissance puisqu’il peut travailler jusqu’à 700 “C alors que
l’électronique à base de silicium ou d’arséniure de gallium reste limitée à 200250 OC. Sa capacité d’intégration est même prometteuse puisqu’elle pourrait être
trente fois supérieure à celle du silicium. Par ailleurs, l’excellente résistance du
diamant aux agressions chimiques en fait u n matériau capable de travailler en
milieu hostile.
L a figure 7.20 résume quelques applications envisageables pour le diamant
en relation avec ses propriétés physico-chimiques
ultra-rapides
poneursr
I
aux environnemenis severes
(espace reacteurs nucieaires)
FaiDle coefficient de
ailatat on thermique
Fig. 7.20. Relations entre propriétés physico-chimiques du diamant et applications.
A. CORNET e t J.-P. DEVILLE
Actuellement, on utilise essentiellement ses propriétés de très grande dureté
(50 à 100 GPa selon les plans). En outre, le diamant a une température de fusion
élevée (4 O 0 0 OC), une conductivité thermique exceptionnelle (20 W.cm-’.K-l),
une faible dilatation thermique ( 1 . 1 x
K-l), une large bande interdite (gap)
électronique (5,45 eV à comparer à 1.1 eV pour le silicium), une grande transparence optique dans u n domaine allant du proche ultra-violet à l’infrarouge, une
tension de claquage importante (10 MV.cm-’, trente fois supérieure à celle du
silicium). C’est donc un matériau semi-conducteur d‘avenir, notamment pour les
amplificateurs de puissance puisqu’il peut travailler jusqu’à 700 “C alors que
l’électronique à base de silicium ou d’arséniure de gallium reste limitée à 200250 OC. Sa capacité d’intégration est même prometteuse puisqu’elle pourrait être
trente fois supérieure à celle du silicium. Par ailleurs, l’excellente résistance du
diamant aux agressions chimiques en fait u n matériau capable de travailler en
milieu hostile.
L a figure 7.20 résume quelques applications envisageables pour le diamant
en relation avec ses propriétés physico-chimiques
ultra-rapides
poneursr
I
aux environnemenis severes
(espace reacteurs nucieaires)
FaiDle coefficient de
ailatat on thermique
Fig. 7.20. Relations entre propriétés physico-chimiques du diamant et applications.