CHAPITRE 5 - MÉTHODES D’ANALYSE DE L’INGÉNIEUR DES SURFACES
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4
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Recouvrement (MC)
Fig. 5.60. Évolution des intensités des pics Auger du platine et du cobalt lors de la croissance de
platine sur la face (100) du cobalt (MC = monocouche).
mesuré en ESCA). Les déplacements mesurés expérimentalement peuvent être
souvent plus importants en raison des processus de relaxation inter- et extraatomiques qui interviennent lors du processus démission Auger.
En revanche, si la transition Auger met en jeu des électrons de valence, les
déplacements des pics correspondants seront beaucoup plus marqués, traduisant les changements de distribution d’états électroniques dans la bande de
valence qui interviennent lorsque l’environnement chimique est modifié. Ainsi,
on mesure une différence d‘énergie de 1 3 eV pour la transition L W du silicium
entre le silicium élémentaire et son oxyde SiO, (silice). Ce déplacement des raies
Auger de type XW peut s’accompagner aussi d’une modification importante de
leur forme spectrale, permettant à l’analyse Auger de fournir une << empreinte
digitale )) très précise des états de liaison chimique superficielle, avec une très
bonne résolution en profondeur. L a figure 5.61 illustre ceci pour l’oxydation du
silicium.
À titre de comparaison, le déplacement chimique observé en ESCA entre Si et
SiO, n’est, pour la raie Si2p que de 4 eV et intègre une profondeur d’analyse de
5 nm environ contre 1,5 nm pour I’AES. Notons enfin que la modification de
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Recouvrement (MC)
Fig. 5.60. Évolution des intensités des pics Auger du platine et du cobalt lors de la croissance de
platine sur la face (100) du cobalt (MC = monocouche).
mesuré en ESCA). Les déplacements mesurés expérimentalement peuvent être
souvent plus importants en raison des processus de relaxation inter- et extraatomiques qui interviennent lors du processus démission Auger.
En revanche, si la transition Auger met en jeu des électrons de valence, les
déplacements des pics correspondants seront beaucoup plus marqués, traduisant les changements de distribution d’états électroniques dans la bande de
valence qui interviennent lorsque l’environnement chimique est modifié. Ainsi,
on mesure une différence d‘énergie de 1 3 eV pour la transition L W du silicium
entre le silicium élémentaire et son oxyde SiO, (silice). Ce déplacement des raies
Auger de type XW peut s’accompagner aussi d’une modification importante de
leur forme spectrale, permettant à l’analyse Auger de fournir une << empreinte
digitale )) très précise des états de liaison chimique superficielle, avec une très
bonne résolution en profondeur. L a figure 5.61 illustre ceci pour l’oxydation du
silicium.
À titre de comparaison, le déplacement chimique observé en ESCA entre Si et
SiO, n’est, pour la raie Si2p que de 4 eV et intègre une profondeur d’analyse de
5 nm environ contre 1,5 nm pour I’AES. Notons enfin que la modification de