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Exercices de chimie des solides
G
Gap (d’énergie) : 4.5, 4.6, 6.4, 9.4
Gibbs-Duhem (relation de) : 5.8
Goldschmidt (facteur de tolérance) :
12.5
Groupes d’orbitales symétrisées : 1.3
H
Henry (loi de) : 5.5, 5.7, 5.8, 5.9
Hubbard (modèle de) : 12.1
I
Ilménite : 2.2
Interstitiels (défauts) : 7.5
Ionisation des défauts : 9.4
Ionisation intrinsèque : 6.4, 12.2
Isolant : 4.1, 12.1
J
Jahn-Teller (effet) : 1.4, 12.5
K
Kapustinskii : 2.5
L
Lacunes : 6.1, 6.2, 7.2, 7.3, 7.6, 7.7,
12.2
Lacunes (ionisation) : 7.3, 12.2
M
Madelung : 2.4, 2.5
Migration (enthalpie de) : 13.1
Mobilité des porteurs : 6.4, 12.2, 13.1
Mulliken-Jaffé : 1.2
N
Nernst-Einstein (relation de) : 13.1
Niveau de Fermi : 3.4, 9.3, 9.4, 12.2
Nombre d’états occupés : 3.6
O
Ohm (loi d’) : 10.1
Ondes stationnaires : 3.1
Orbitales de (recouvrement) : 3.8, 12.1
Oxyde supra-conducteur : 7.4
Oxyde sur-stœchiométrique : 7.6
Oxydes sous-stœchiométriques : 7.2,
7.3, 7.4, 7.5, 9.2
Oxygène O
− : 7.4
P
Pauling : 1.1
Pearson : 2.7
Pérovskites : 2.2, 4.6, 12.1, 12.5
Phénoménologiques (coefficients) :
10.2, 13.8
Polarisation : 9.1
Potentiel électrochimique : 13.2, 13.3,
13.4, 13.7
Pouvoir thermoélectrique : 14.1–14.4
Purification de gaz : 5.7
R
Raoult (loi de) : 5.6, 5.8, 5.9
S
Sanderson (électronégativité) : 1.2
Sauts (processus de « hopping ») : 12.3
Schottky (défauts de) : 6.2, 6.3, 13.1
Semi-conducteurs : 4.1, 4.3, 9.3
Sievert (loi de) : 5.5
Sites cubiques : 2.1
Sites interstitiels : 2.1, 6.1
Sites octaédriques : 2.1, 6.1, 12.3, 12.6
Sites tétraédriques : 2.1, 6.1, 12.3,
12.6
Slater : 1.1
Solubilité (d’un gaz dans un solide) :
5.5
Solution idéale : 5.6
Solutions régulières : 5.6
Solutions solides : 5.5, 5.8, 5.9
Spinelles : 2.3, 7.1, 12.3, 12.5, 12.6,
14.3, 14.4
Exercices de chimie des solides
G
Gap (d’énergie) : 4.5, 4.6, 6.4, 9.4
Gibbs-Duhem (relation de) : 5.8
Goldschmidt (facteur de tolérance) :
12.5
Groupes d’orbitales symétrisées : 1.3
H
Henry (loi de) : 5.5, 5.7, 5.8, 5.9
Hubbard (modèle de) : 12.1
I
Ilménite : 2.2
Interstitiels (défauts) : 7.5
Ionisation des défauts : 9.4
Ionisation intrinsèque : 6.4, 12.2
Isolant : 4.1, 12.1
J
Jahn-Teller (effet) : 1.4, 12.5
K
Kapustinskii : 2.5
L
Lacunes : 6.1, 6.2, 7.2, 7.3, 7.6, 7.7,
12.2
Lacunes (ionisation) : 7.3, 12.2
M
Madelung : 2.4, 2.5
Migration (enthalpie de) : 13.1
Mobilité des porteurs : 6.4, 12.2, 13.1
Mulliken-Jaffé : 1.2
N
Nernst-Einstein (relation de) : 13.1
Niveau de Fermi : 3.4, 9.3, 9.4, 12.2
Nombre d’états occupés : 3.6
O
Ohm (loi d’) : 10.1
Ondes stationnaires : 3.1
Orbitales de (recouvrement) : 3.8, 12.1
Oxyde supra-conducteur : 7.4
Oxyde sur-stœchiométrique : 7.6
Oxydes sous-stœchiométriques : 7.2,
7.3, 7.4, 7.5, 9.2
Oxygène O
− : 7.4
P
Pauling : 1.1
Pearson : 2.7
Pérovskites : 2.2, 4.6, 12.1, 12.5
Phénoménologiques (coefficients) :
10.2, 13.8
Polarisation : 9.1
Potentiel électrochimique : 13.2, 13.3,
13.4, 13.7
Pouvoir thermoélectrique : 14.1–14.4
Purification de gaz : 5.7
R
Raoult (loi de) : 5.6, 5.8, 5.9
S
Sanderson (électronégativité) : 1.2
Sauts (processus de « hopping ») : 12.3
Schottky (défauts de) : 6.2, 6.3, 13.1
Semi-conducteurs : 4.1, 4.3, 9.3
Sievert (loi de) : 5.5
Sites cubiques : 2.1
Sites interstitiels : 2.1, 6.1
Sites octaédriques : 2.1, 6.1, 12.3, 12.6
Sites tétraédriques : 2.1, 6.1, 12.3,
12.6
Slater : 1.1
Solubilité (d’un gaz dans un solide) :
5.5
Solution idéale : 5.6
Solutions régulières : 5.6
Solutions solides : 5.5, 5.8, 5.9
Spinelles : 2.3, 7.1, 12.3, 12.5, 12.6,
14.3, 14.4