C. D. Salzberg, J. Opt. Soc. Am., 44,
1954, 18.
49 G. Hass, C. D. Salzberg, J. Opt. Soc.
Am., 44, 1954, 18.
50 T. S. Chu, R. Q. Zhang, H. F.
Cheung, J. Phys. Chem. B, 105, 2001,
1705.
51 R. Q. Zhang, T. S. Chu, H. F.
Cheung et al., Phys. Rev. B, 64, 2001,
113304.
52 R. Q. Zhang, T. S. Chu, H. F.
Cheung et al., Mater. Sci. Eng. C, 16,
2001, 31.
53 J. P. Borel, Surf. Sci., 106, 1981, 1.
54 C. P. Li, C. S. Lee, X. L. Ma et al., Adv.
Mater., 15, 2003, 607.
55 T. Y. Tan, S. T. Lee, U. Go ¨sele, Appl.
Phys. A: Mater. Sci. Process., 74, 2002,
423.
56 J. T. Hu, T. W. Odom, C. M. Lieber,
Acc. Chem. Res., 32, 1999, 435–445.
57 S. T. Lee et al., unpublished results.
58 E. I. Givargizov, J. Cryst. Growth, 20,
1973, 217.
59 G. Hass, J. Am. Ceram. Soc., 33, 1950,
353.
60 Y. Cui, X. F. Duan, J. T. Hu et al., J.
Phys. Chem. B, 104, 2000, 5213.
61 Y. H. Tang, Y. F. Zhang, N. Wang
et al., J. Appl. Phys., 85, 1999, 7981.
62 W. S. Shi, H. Y. Peng, Y. F. Zheng
et al., Adv. Mater., 12, 2000, 1343.
63 W. Z. Li, S. S. Xie, L. X. Qian et al.,
Science, 274, 1996, 1701.
64 R. S. Wagner, R. G. Treuting, J.
Appl. Phys., 32, 1961, 2490.
65 W. S. Shi, H. Y. Peng, L. Xu et al.,
Adv. Mater., 12, 2000, 1927.
66 Y. Zhang, K. Suenaga, C. Colliex
et al., Science, 281, 1998, 973.
67 C. P. Li, N. Wang, S. P. Wong et al.,
Adv. Mater., 14, 2002, 218.
68 Z. W. Pan, H. L. Lai, F. C. K. Au
et al., Adv. Mater., 12(16), 2000,
1186.
69 W. Z. Li, S. S. Xie, L. X. Qian et al.,
Science, 274, 1996, 1701.
70 Z. W. Pan, S. S. Xie, B. H. Chang
et al., Nature, 394, 1998, 631.
71 Z. W. Pan, S. S. Xie, B. H. Chang
et al., Chem. Phys. Lett., 299, 1999, 9.
72 X. Duan, J. Wang, C. M. Lieber,
Appl. Phys. Lett., 76, 2000, 1116.
73 N. Wang, Y. H. Tang, Y. F. Zhang
et al., Chem. Phys. Lett., 299, 1999,
237.
74 J. Q. Hu, X. L. Ma, N. G. Shang et al.,
J. Phys. Chem. B, 106, 2002, 3823.
75 Y. Jiang, X. M. Meng, J. Liu et al.,
Adv. Mater., 15, 2003, 323.
76 X. H. Sun, H. Y. Peng, Y. H. Tang
et al., J. Appl. Phys., 89, 2001, 6396–
6399.
77 Y. F. Zhang, L. S. Liao, W. H. Chan
et al., Phys. Rev. B, 61, 2000, 8298.
78 X. T. Zhou, J. Q. Hu, C. P. Li et al.,
Chem. Phys. Lett., 369, 2003, 220.
79 X. H. Sun, C. P. Li, N. B. Wong et al.,
J. Am. Chem. Soc., 124, 2002, 14856.
80 R. H. Fowler, L. W. Nordheim, Proc.
R. Soc. London, Ser. A, 119, 1928, 173.
81 D. D. D. Ma, C. S. Lee, F. C. K. Au
et al., Science, 299, 2003, 1797.
82 Y. H. Tang, X. H. Sun, F. C. K. Au
et al., Appl. Phys. Lett., 79, 2001, 1673.
83 D. D. D. Ma, C. S. Lee, Y. Lifshitz
et al., Appl. Phys. Lett., 81, 2002, 3233.
84 R. Q. Zhang, T. S. Chu, S. T. Lee, J.
Chem. Phys., 114, 2001, 5531.
85 D. K. Yu, R. Q. Zhang, S. T. Lee,
Phys. Rev. B, 65, 2002, 245417.
86 B. X. Li, R. Q. Zhang, P. L. Cao et al.,
Phys. Rev. B, 65, 2002, 125305.
87 R. Q. Zhang, S. T. Lee, C. K. Law
et al., Chem. Phys. Lett., 364, 2002,
251.
88 D. K. Yu, R. Q. Zhang, S. T. Lee, J.
Appl. Phys., 92, 2002, 7453.
89 R. Q. Zhang, W. C. Lu, S. T. Lee,
Appl. Phys. Lett., 80, 2002, 4223.
10 Oxide-Assisted Growth of Silicon and Related Nanowires
370
1954, 18.
49 G. Hass, C. D. Salzberg, J. Opt. Soc.
Am., 44, 1954, 18.
50 T. S. Chu, R. Q. Zhang, H. F.
Cheung, J. Phys. Chem. B, 105, 2001,
1705.
51 R. Q. Zhang, T. S. Chu, H. F.
Cheung et al., Phys. Rev. B, 64, 2001,
113304.
52 R. Q. Zhang, T. S. Chu, H. F.
Cheung et al., Mater. Sci. Eng. C, 16,
2001, 31.
53 J. P. Borel, Surf. Sci., 106, 1981, 1.
54 C. P. Li, C. S. Lee, X. L. Ma et al., Adv.
Mater., 15, 2003, 607.
55 T. Y. Tan, S. T. Lee, U. Go ¨sele, Appl.
Phys. A: Mater. Sci. Process., 74, 2002,
423.
56 J. T. Hu, T. W. Odom, C. M. Lieber,
Acc. Chem. Res., 32, 1999, 435–445.
57 S. T. Lee et al., unpublished results.
58 E. I. Givargizov, J. Cryst. Growth, 20,
1973, 217.
59 G. Hass, J. Am. Ceram. Soc., 33, 1950,
353.
60 Y. Cui, X. F. Duan, J. T. Hu et al., J.
Phys. Chem. B, 104, 2000, 5213.
61 Y. H. Tang, Y. F. Zhang, N. Wang
et al., J. Appl. Phys., 85, 1999, 7981.
62 W. S. Shi, H. Y. Peng, Y. F. Zheng
et al., Adv. Mater., 12, 2000, 1343.
63 W. Z. Li, S. S. Xie, L. X. Qian et al.,
Science, 274, 1996, 1701.
64 R. S. Wagner, R. G. Treuting, J.
Appl. Phys., 32, 1961, 2490.
65 W. S. Shi, H. Y. Peng, L. Xu et al.,
Adv. Mater., 12, 2000, 1927.
66 Y. Zhang, K. Suenaga, C. Colliex
et al., Science, 281, 1998, 973.
67 C. P. Li, N. Wang, S. P. Wong et al.,
Adv. Mater., 14, 2002, 218.
68 Z. W. Pan, H. L. Lai, F. C. K. Au
et al., Adv. Mater., 12(16), 2000,
1186.
69 W. Z. Li, S. S. Xie, L. X. Qian et al.,
Science, 274, 1996, 1701.
70 Z. W. Pan, S. S. Xie, B. H. Chang
et al., Nature, 394, 1998, 631.
71 Z. W. Pan, S. S. Xie, B. H. Chang
et al., Chem. Phys. Lett., 299, 1999, 9.
72 X. Duan, J. Wang, C. M. Lieber,
Appl. Phys. Lett., 76, 2000, 1116.
73 N. Wang, Y. H. Tang, Y. F. Zhang
et al., Chem. Phys. Lett., 299, 1999,
237.
74 J. Q. Hu, X. L. Ma, N. G. Shang et al.,
J. Phys. Chem. B, 106, 2002, 3823.
75 Y. Jiang, X. M. Meng, J. Liu et al.,
Adv. Mater., 15, 2003, 323.
76 X. H. Sun, H. Y. Peng, Y. H. Tang
et al., J. Appl. Phys., 89, 2001, 6396–
6399.
77 Y. F. Zhang, L. S. Liao, W. H. Chan
et al., Phys. Rev. B, 61, 2000, 8298.
78 X. T. Zhou, J. Q. Hu, C. P. Li et al.,
Chem. Phys. Lett., 369, 2003, 220.
79 X. H. Sun, C. P. Li, N. B. Wong et al.,
J. Am. Chem. Soc., 124, 2002, 14856.
80 R. H. Fowler, L. W. Nordheim, Proc.
R. Soc. London, Ser. A, 119, 1928, 173.
81 D. D. D. Ma, C. S. Lee, F. C. K. Au
et al., Science, 299, 2003, 1797.
82 Y. H. Tang, X. H. Sun, F. C. K. Au
et al., Appl. Phys. Lett., 79, 2001, 1673.
83 D. D. D. Ma, C. S. Lee, Y. Lifshitz
et al., Appl. Phys. Lett., 81, 2002, 3233.
84 R. Q. Zhang, T. S. Chu, S. T. Lee, J.
Chem. Phys., 114, 2001, 5531.
85 D. K. Yu, R. Q. Zhang, S. T. Lee,
Phys. Rev. B, 65, 2002, 245417.
86 B. X. Li, R. Q. Zhang, P. L. Cao et al.,
Phys. Rev. B, 65, 2002, 125305.
87 R. Q. Zhang, S. T. Lee, C. K. Law
et al., Chem. Phys. Lett., 364, 2002,
251.
88 D. K. Yu, R. Q. Zhang, S. T. Lee, J.
Appl. Phys., 92, 2002, 7453.
89 R. Q. Zhang, W. C. Lu, S. T. Lee,
Appl. Phys. Lett., 80, 2002, 4223.
10 Oxide-Assisted Growth of Silicon and Related Nanowires
370