24.3 Field-Effect Transistors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 703
24.4 JFET and MESFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 706
24.4.1 General Principle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 706
24.4.2 Static Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 706
24.4.3 Normally On and Normally Off FETs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 709
24.4.4 Field-Dependent Mobility . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 710
24.4.5 High-Frequency Properties . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 712
24.5 MOSFETs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 712
24.5.1 Operation Principle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 713
24.5.2 Current–Voltage Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 714
24.5.3 MOSFET Types . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 718
24.5.4 Complementary MOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 718
24.5.5 Large-Scale Integration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 721
24.5.6 Tunneling FETs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 727
24.5.7 Nonvolatile Memories . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 727
24.5.8 Heterojunction FETs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 731
24.6 Thin-Film Transistors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 733
24.6.1 Annealing of Amorphous Silicon . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 734
24.6.2 TFT Devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 736
24.6.3 Transistors with 2D Materials . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 737
24.6.4 OFETs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 738
Appendix A: Tensors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 739
Appendix B: Point and Space Groups . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 743
Appendix C: Kramers–Kronig Relations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 747
Appendix D: Oscillator Strength. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 749
Appendix E: Quantum Statistics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 755
Appendix F: Kronig-Penney Model . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 761
Appendix G: Tight-Binding Model . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 765
Appendix H: k Á p Perturbation Theory . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 773
Appendix I: Effective-Mass Theory. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 777
Appendix J: Boltzmann Transport Theory . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 779
Appendix K: Noise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 785
References. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 793
Index . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 869
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24.4 JFET and MESFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 706
24.4.1 General Principle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 706
24.4.2 Static Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 706
24.4.3 Normally On and Normally Off FETs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 709
24.4.4 Field-Dependent Mobility . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 710
24.4.5 High-Frequency Properties . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 712
24.5 MOSFETs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 712
24.5.1 Operation Principle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 713
24.5.2 Current–Voltage Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 714
24.5.3 MOSFET Types . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 718
24.5.4 Complementary MOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 718
24.5.5 Large-Scale Integration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 721
24.5.6 Tunneling FETs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 727
24.5.7 Nonvolatile Memories . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 727
24.5.8 Heterojunction FETs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 731
24.6 Thin-Film Transistors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 733
24.6.1 Annealing of Amorphous Silicon . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 734
24.6.2 TFT Devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 736
24.6.3 Transistors with 2D Materials . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 737
24.6.4 OFETs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 738
Appendix A: Tensors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 739
Appendix B: Point and Space Groups . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 743
Appendix C: Kramers–Kronig Relations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 747
Appendix D: Oscillator Strength. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 749
Appendix E: Quantum Statistics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 755
Appendix F: Kronig-Penney Model . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 761
Appendix G: Tight-Binding Model . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 765
Appendix H: k Á p Perturbation Theory . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 773
Appendix I: Effective-Mass Theory. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 777
Appendix J: Boltzmann Transport Theory . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 779
Appendix K: Noise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 785
References. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 793
Index . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 869
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